【技术实现步骤摘要】
本技术提供一种半导体致冷片电流换向电路，使其电路损耗小，只需采用单 电源供电，有效提高电路的加热、致冷切换效率及温度控致的精度。 半导体致冷片单电源电流换向电路
技术介绍
半导体致冷片工作在低压大电流下，当对半导体致冷片的两引脚分别接入反相的 电源时，即可在同半导体致冷片的同一面产生冷却、加热的切换效果。目前由半导体致冷片 搭建的半导体致冷片电流换向电路可以用于恒温控致，其多是采用场效应管或继电器组成 的半桥式、双电源控致电路，控致电路串接在半导体致冷片上的方式完成的。
技术实现思路
本技术提供了一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、 高耐压的M0S管（2个P型M0S管、2个N型M0S管）组成桥式控致电路，接入半导体致冷片 通过控致其中的一对N、P组合M0S管导通、令一对组合M0S管关闭来达到电流换向的目的。 如图二所示将两个P型M0S管S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极（ + )，Q2 的D级接半导体致冷片的负极（-);将Q3的D级接体致冷片的正极（ + )，Q4的D级接体致 冷片的负极（_)，将Q3、Q4的S级接地GND。当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致 冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Ql、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电 流，同时应避免Ql、Q3或Q2、Q4同时导通。通过如图三添加电路M0S管驱动等外围电路并 实际应用测试，本新型实用电路可有效的控致半导体致冷片电路的电流换向。 【附图说明】 图1为现有专利技术中半导体致冷片电流换向电路图。 ...
【技术保护点】
一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管组成桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合MOS管导通、令一对组合MOS管关闭来达到电流换向的目的，所述MOS管包括2个P型MOS管、2个N型MOS管，将两个P型MOS管Q1、Q2的S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极，Q2的D级接半导体致冷片的负极；将另外两个N型MOS管Q3、Q4的S级接GND，将Q3的D级接体致冷片的正极，Q4的D级接体致冷片的负极，构成半导体致冷片电流换向电路。2. 如权利要求1所述的半导体致冷片电流换向电路，当Q1和Q4导通、Q2、Q3截止时通过半导体致冷片的电流为正向电流，当Q2和Q3导通、Q1、Q4截止时通过半导体致冷片的电流为反向电流，同时应避免Q1、Q3或Q2、Q4同时导通，以此有效控致半导体致冷片电路的电流换向。
【技术特征摘要】
1. 一种半导体致冷片电流换向电路，分别将4个低内阻、大电流、高耐压的MOS管组成 桥式控致电路，接入半导体致冷片通过控致其中的一对N、P组合M0S管导通、令一对组合 M0S管关闭来达到电流换向的目的，所述M0S管包括2个P型M0S管、2个N型M0S管，将两 个P型M0S管Ql、Q2的S级接在电源VCC，Q1的D级接半导体致冷片的正极，Q2的D级接 半导体致冷片的负极；将另外两个N型M0S...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶浪，林明先，李传良，
申请(专利权)人：赛伦厦门新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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