ESD钳包括第一电源节点；与所述第一电源节点连接且被设置成检测ESD事件的ESD检测电路；与所述第一电源节点连接且被设置为输出第二电源电压给第二电源节点的偏置电路。第二电源电压比所述第一电源节点上的第一电源电压低。将ESD检测电路设置为...

本发明提供一种集成电路元件及其制作方法，其中集成电路元件包括：半导体基板，具有顶面与底面，半导体基板为第一导电类型；轻度掺杂扩散区，配置于半导体基板中，轻度掺杂扩散区被掺杂成第二导电类型；具有第一导电类型的第一阱，自顶面延伸入半导体基板...

本发明提供一种半导体元件及其制作方法与图像感测元件。图像感测元件包括：一像素，位于一基板中；一第一微透镜，内埋于位于基板上的一膜层中，第一微透镜的一第一上表面具有一角状的顶端；一彩色滤光片，位于膜层上；以及一第二微透镜，位于彩色滤光片上...

本发明提供了一种包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X为1和8之间的碳原子数。添加剂可包括末端Si-CH3基团。包括添加剂的介电材料可用作半导体器件的层间介电(ILD)层。可使用CVD或溶胶...

本发明提供一种用于在衬底上形成互连件的方法和装置，包括在超低k电介质中蚀刻图样并使用活化能辅助烘烤从超低k电介质中去除湿气。在活化能辅助烘烤期间，以大约300至400摄氏度的温度，加热超低k电介质并将其暴露给仅具有大于400nm波长的光...

本发明提供具有可调式电导体的装置及调整可调式电导体的方法，该装置包括用于半导体制程中的一压力反应室的一种可调式上电极或上线圈，该可调式上电极或上线圈的形状可选择性地被改变，而可调式上电极或上线圈包括两部分，这些部分可选择地由不同的功率或...

本申请披露了一种半导体器件，包括：基板，具有第一有源区、第二有源区、以及插入第一有源区和第二有源区之间具有第一宽度的隔离区；P-金属栅电极，在第一有源区之上并且延伸隔离区的第一宽度的至少2/3；以及N-金属栅电极，在第二有源区之上并且延...

本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向...

本发明的一个实施例包括一种形成浅沟槽隔离结构的方法，该方法包括：提供包括顶表面的基板；形成从顶表面延伸到基板中的沟槽，其中，沟槽具有侧壁和底表面；在侧壁和底表面上形成硅衬层；将可流动介电材料填充到沟槽中；以及实施退火工艺，从而增加可流动...

本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬...

具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法包括：在硅衬底中形成开口，在开口的侧壁和底部上形成第一绝缘层，在开口的侧壁和底部上形成第二绝缘层。第一绝缘层和硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。第二绝缘层和导电层之间的第二界...

本发明公开一种装置，其包括：基板，具有前表面和后表面；集成电路器件，在基板的前表面处；以及金属板，在基板的后表面上，其中，金属板与整个集成电路器件基本上重叠。保护环延伸到基板中并且环绕集成电路器件。保护环由导电材料形成。基板通孔(TSV...

一种器件，包括：第一半导体鳍；以及第二半导体鳍，平行于第一半导体鳍；直线型栅电极，位于第一半导体鳍和第二半导体鳍上方，并且分别与第一半导体鳍和第二半导体鳍形成第一鳍式场效晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中，第一FinFET和...

一种器件，包括：其中不包含有源器件的中介层。中介层包括：基板；穿透基板的基板通孔(TSV)；以及位于基板上方的低k介电层。本发明还提供了一种具有低K材料的三维集成电路结构。

本发明提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物...

本发明提供一种半导体存储器元件及其制法，包括：一第一铁磁性层磁性固定且位于一基板的一第一区域中；一第二铁磁性层近似于第一铁磁性层，以及一阻挡层介于第一铁磁性层与第二铁磁性层的第一部分之间。第二铁磁性层包括一第一部分为磁性自由且位于第一区...

本发明提供一种包含光电元件的封装的装置及封装方法，此封装包含一绝缘结构。上述封装包含第一及第二导电结构，其各延伸穿过绝缘结构。上述发光二极管元件的底面的一很大区域与第一导电结构的顶面直接接触。通过一连接线将发光二极管元件的顶面接合至第二...

提供了一种平坦化半导体器件的方法。所述方法包括提供基板。所述方法包括在所述基板上形成第一层。所述方法包括在所述第一层上形成第二层。所述第一和第二层具有不同的材料组分。所述方法包括在所述第二层上形成第三层。所述方法包括在所述第三层上实施抛...

本发明揭露一种注入锁定式除频器、相位锁定回路以及集成电路。集成电路和相位锁定回路分别包含前述的注入锁定式除频器、相位频率侦测器、信号产生器以及除频器。注入锁定式除频器包含差动直接注入对和震荡器。差动直接注入对是设置来接收和混合多个差动注...

一种电路，包括：行中的多个存储单元、至少一条写字线、以及连接到至少一条写字线和行中的多个存储单元的写辅助电路。写辅助电路包括第一电流通路和至少一条第二电流通路。至少一条第二电流通路的电流通路对应于至少一条写字线中的对应写字线。至少一条写...