一种具有单端读出电路的存储器，包括位线、与位线连接的存储器单元及预充电电路。预充电电路对位线预充电至电源电压和地之间的预充电电压。本发明还提供了一种存储器单端读出电路。

本发明提供一种校准滤波器的方法，包括：将输入信号提供到滤波器中以生成输出信号；测量输入信号和输出信号之间的相位差；确定相位差的超前/滞后状态；使用超前/滞后状态计算电容器代码(CAP_CODE)；以及使用CAP_CODE校准电容器。本发...

一种器件包括基板上的顶部金属层；顶部金属层中的含铜金属部件；在顶部金属层上的钝化层；和电容器。电容器包括至少一部分在第一钝化层中的底部电极，其中底部电极包括铝；底部电极上的绝缘体；以及在绝缘体上的顶电极。

本发明提供了一种正交振荡器及生成正交信号的方法。正交振荡器包含一第一振荡器，具有一第一二阶谐波节点，一第二振荡器，具有一第二二阶谐波节点，至少一电容器与所述第一二阶谐波节点和所述第二二阶谐波节点耦合。第一振荡器用于提供一同相信号，第二振...

本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

本发明实施例提供了一种光调整系统、显示系统及光输出的调整方法，该光调整系统具有一导光体，用以收集来自光源的光、一光检测器，与导光体连接、一存储器，用以储存光检测器的测量值、及一控制器，电性连接至光检测器的输出，并以驱动光源以可分离的方式...

一种形成集成电路结构的方法，包括在晶片表示上形成平行于第一方向的第一和第二多个轨迹。该第一和第二多个轨迹被分配在交替的图案中。在第一多个轨迹上而不在第二多个轨迹上布线第一多个图案。在第二多个轨迹上而不在第一多个轨迹上布线第二多个图案。使...

本发明公开了一种静电放电(ESD)保护结构，包括设置在N+区下面的高电压P型注入区。该高电压P型注入区和N+区根据不同的掺杂浓度形成反向二极管或齐纳二极管。该ESD保护结构还包括多个P+和N+区。该高电压P型注入区和P+和N+区形成具有...

本公开提供一种集成电路器件，包括铜柱和叠加在铜柱上的焊料层。形成含钴金属化层以覆盖铜柱和焊料层，然后执行热回流工艺以形成焊接凸块并且驱使钴元素进入焊接凸块中。接下来，执行氧化工艺以在铜柱的侧壁表面上形成钴氧化层。

提供一种包括透明衬底的器件。不透明层被设置在透明衬底上。导电层被设置在不透明层上。不透明层和导电层形成处理层，该处理层可用于在制造工艺中检测和/或校准透明晶圆。在实施例中，导电层含有高掺杂硅层。在实施例中，不透明层含有金属。在实施例中，...

将基板上的或者3维集成电路(3DIC)中的多个穿透硅通孔(TSV)链接在一起。将TSV链接在一起，从而增大了电信号。多个测试焊盘能够用于测试TSV。一个测试焊盘接地。剩下的测试焊盘电连接到链中的TSV，或者接地。

在p型场效应晶体管中，在基板的顶面的上方形成成对隔离件。沟道凹进腔包括在成对隔离件之间的基板顶面上中的凹部。栅叠层具有位于沟道凹进腔中的底部和在沟道凹进腔的外部延伸的顶部。源极/漏极(S/D)凹进腔具有在基板顶面以下的底表面和侧壁。(S...

一种半导体基板的导电结构及其制造方法。该导电结构包括一第一保护层，形成于一基板上方。一连接焊盘，形成于第一保护层上方。一第二保护层，形成于连接焊盘以及第一保护层上方，且第二保护层有一第一开口以及多个第二开口，其中第一开口覆于连接焊盘上方...

本发明揭露一种应变源/漏极结构的制造方法。揭露的方法对集成电路组件的近面和尖端深度提供改善的控制。在一个实施方式中，这个方法通过在该组件的源极和漏极区域内形成一个掺杂区域与一个轻掺杂源极和漏极(LDD)区域来达成控制的改善。在掺杂区域植...

本发明公开了一种触发器电路，其包括：在接收的时钟信号为低时输出高的充电信号的预充电电路；产生延迟时钟输入控制信号的延迟时钟输入电路，其中延迟时钟输入控制信号在时钟信号为高时具有与输入信号相同的值；一旦接收到充电信号和延迟时钟输入控制信号...

本发明公开了一种低压力芯片封装。该封装包括两个衬底。第一衬底包括在芯片的角区中的第一导电结构阵列和在芯片的外围边缘区中的第二导电结构阵列。每个第一和第二导电结构具有导电柱和导电柱之上的焊料凸焊点，该导电柱在与所述第一衬底平行的平面中具有...

本发明用于倒装芯片封装的顺应式散热器描述了一种集成电路芯片封装件。该集成电路封装件包括：基板；芯片，连接到基板；以及散热器，安装在芯片上方，用于将其中的芯片密封。散热器包括：导热元件，一侧相对于芯片的顶部，用于将热量从芯片传送到散热器；...

本发明涉及一种多工电路及使用一多工器输出数据的方法，所述多工电路包含多个第一电路和耦接至这些第一电路的输出的第二电路。配置这些第一电路的一第一电路，以接收第一数据线(data?line)做为第一输入，和时脉信号做为第二输入，并提供输出信...

用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组...

一种存储器器件，提供了存储器器件和时钟偏移发生器，支持至少两个读取操作和写入操作，在存储器器件的读取-读取操作模式、读取-写入操作模式，写入-写入操作模式中，该至少两个读取操作和写入操作可以同时进行。在同时产生的沿会造成有害负载的操作模...