触发器电路设计制造技术

本发明专利技术公开了一种触发器电路，其包括：在接收的时钟信号为低时输出高的充电信号的预充电电路；产生延迟时钟输入控制信号的延迟时钟输入电路，其中延迟时钟输入控制信号在时钟信号为高时具有与输入信号相同的值；一旦接收到充电信号和延迟时钟输入控制信号即产生电荷保持信号的电荷保持电路，其中该电荷保持信号在时钟信号为低时等于充电信号并且在时钟信号为高时等于延迟时钟输入控制信号；接收充电保持信号和时钟信号并产生反相电荷保持信号的分离器电路；被配置为接收反相电荷保持信号、当前状态信号和反相当前状态信号并产生当前状态信号和反相当前状态信号的存储电路。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及逻辑电路，更具体地，涉及触发器电路。
技术介绍
在逻辑电路中，术语触发器指具有两种稳定状态的电子电路，因此其能够用作一位存储器。触发器通常由一个或者两个控制信号和/或栅极或时钟信号控制。输出通常包括补数(complement)和正常输出。触发器可以是简单(透明)的或者是钟控(或非透明) 的。钟控触发器特别设计用于同步(离散时间)系统且通常被实现为主-从设备。触发器还可以被分为以下类型RS ( “设置-重置”)、D( “数据”或“延迟”)、T( “双态”)以及JK 类型，这些均为通常的类型。D触发器被称为延迟触发器(由于其输出Q看上去为输入D的延迟)或数据锁存器。特定类型的触发器的特性可以通过所谓的特征方程来描述，该特征方程根据输入信号和/或触发器“之前的状态”信号推导出“当前状态”输出。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET、MOS-FET或MOS FET)是用于放大或切换电子信号的设备。它由一片固态的半导体材料制成。MOSFET的四个端子被称为源极、栅极、漏极和主体(衬底)。在MOSFET中，当晶体管导通时，氧化绝缘栅极电极上的电压可在被称为源极和漏极的两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘祈麟，邹宗成，陈彝梓，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：