公开了可以提高载体迁移率的各种源极/漏极应力源及其制造方法。示例性的源极/漏极应力源包括设置在第二材料的衬底上方的第一材料的种子层，第一材料与第二材料不同；设置在种子层上方的弛豫的外延层；以及设置在弛豫的外延层上方的外延层。

一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀...

本发明是有关于一种介层窗层的介层窗图案化掩膜分配的方法，所述的双重图案化技术的介层窗掩膜分离方法的实施例使得介层窗图案化能够对齐其底下或上方的金属层，藉以缩减重叠误差，进而增加介层窗的置放性。假如相邻的介层窗违反介层窗之间的空间或节距(...

一种滞后功率变换器包括比较器、校准电路、以及具有输出电压的输出节点。该校准电路配置为向比较器提供校准电压。该比较器基于校准电压和代表至少一部分输出电压的反馈电压来控制输出电压。本发明还提供了一种带有校准电路的滞后功率变换器。

本发明公开一种静电放电(ESD)保护结构，包括：双极PNP晶体管，其具有由设置在第一P+区域之下的第一高压P型注入区形成的发射极和由设置在第二P+区域之下的第二高压P型注入区形成的集电极。ESD保护结构通过控制第一高压P型注入区和第二高...

提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有相对的第一侧面和第二侧面的硅衬底。第一侧面和第二侧面的至少其中之一包括硅(111)表面。该方法包括在硅衬底的第一侧面上形成高热膨胀系数(CTE)层。高CTE层的CTE大于硅的CTE。该方法...

本发明描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠件的半导体器件。第一间隔元件设置在衬底上并且邻接第一栅极堆叠件。在实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。第二间隔元件邻近第一间隔元件。在实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。提供的凸起...

本发明提供了用于实现符合多重图样化的技术设计布局的方法和装置。一种示例性方法包括：设置具有布线轨迹的布线栅格；向布线轨迹的每一个指定至少两种颜色中的一种；向布线栅格应用具有多个特征的图样布局，其中，多个特征的每一个均对应于至少一个布线轨...

本发明描述了一种用于减少蚀刻残留物的结构。该结构包括两个沟槽之间的相交区域的布局。首先，具有梯形转角的较大相交区域可以替换为将两个沟槽进行垂直相交。该布局减小了相交区域，并且降低了不完全蚀刻材料留在相交区域的可能性。该结构还包括一种可选...

一种方法包括在半导体衬底的表面上生长多个平行的芯轴，每个芯轴具有至少两个横向上相对的侧壁和预定的宽度。方法还包括在芯轴的侧壁上形成第一类型的间隔件，其中两个相邻芯轴之间的第一类型间隔件通过间隙分离。调节预定的芯轴宽度至合并相邻第一类型间...

一种半导体FinFET器件，包括：在第一方向上形成的多个栅极线，以及两种类型的鳍结构。第一类型的鳍结构在第二方向上形成，并且第二类型的鳍结构垂直于第一类型的鳍结构。接触孔连接到一个或者多个第二类型的鳍结构。本发明还公开了一种用于在集成电...

本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及...

本发明涉及发光二极管组件及其制造方法，其结合热电装置和在发光二极管发射器基板上的发光二极管装置以冷却发光二极管。本发明也关于结合发光二极管裸片和热电元件的方法。发光二极管组件包含一发光二极管发射器基板，其具有位于发光二极管发射器基板的向...

本发明提供一种高电压半导体组件的制作方法及半导体组件。此方法包含指定第一、第二与第三区于一基材中。第一与第二区分别为半导体组件的源极与漏极将形成的区域。第三区分开第一与第二区。此方法还包含形成一有沟槽的植入屏蔽层至少部分地位于第三区上方...

公开了一种用于通过具有平面型晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。将多个延长芯棒限定在多个有源区域中。在相邻有源区域部分平行并在规定的最小间距内的情况下，将连接元件添加至位于相邻有源区域之间的空间的一部分，从而从...

一种装置，包括其中具有多个开口的晶片。对于每个开口，LED器件以使得每个连接的LED器件和导电载体的一部分至少部分地填充开口的方式连接至导电载体和晶片。制造LED器件的方法包括：在晶片中形成多个开口。该方法还包括将发光二极管(LED)连...

本发明提供一种制造半导体装置的方法。此方法包含在基材上形成可图形化层。此方法包含在可图形化层上形成第一层。此方法包含在第一层上形成第二层。此第二层实质上比第一层薄。此方法包含以光阻材料经由第一蚀刻工艺图形化第二层，来形成图形化的第二层。...

蝙蝠翼形光束由LED封装件产生，该LED封装件通过直接在封装基板上的LED上方模制LED透镜而具有主LED透镜。该LED透镜包括位于LED中央上方的腔体。该腔体表面通过全内反射(TIR)或通过反射性胶涂层来反射来自LED的光。该腔体可以...

一种形成集成电路的方法，包括形成多个沿着第一方向纵向地排布在衬底上方的栅极结构。对衬底实施多个角度离子注入。每个角度离子注入具有各自的关于第二方向的注入角度。第二方向基本上与衬底的表面平行并且基本上与第一方向垂直。每个所述注入角度都基本...

一种管芯具有第一表面，位于第一表面对面的第二表面，和包括第一部分和第二部分的侧壁，其中相比于第二部分，第一部分更接近于第一表面。填角接触管芯的侧壁的第一部分并且包围管芯。工件通过焊料凸块与管芯接合，其中第二表面面向工件。第一底部填充胶填...