本发明公开了放大器感测，并且，具体公开了一种电路，包括第一读位线、第二读位线、和读出放大器。第一读位线和第二读位线分别连接存储器阵列的多个存储器单元和参考单元。将读出放大器配置为：作为第一输入端连接第一读位线和作为第二输入端连接第二读位...

本发明公开了一种双重图形光刻中对半导体器件设计布局的分解和标记，具体地，为了评估半导体器件水平面的设计布局，并且为了确定和指示将要通过由分解设计布局所得到的不同光掩模形成的设计布局的不同部件，提供了系统和方法。通过标记指示的部件将各种器...

IC工艺中降低热中子软错误率的方案，通过对位于金属层顶部以上、并且与集成电路的金属层直接接触的保护层进行掺杂来提供集成电路、以及用于降低集成电路的热中子软错误率(SER)的方法，其中，该保护层掺杂有额外的热中子吸收材料。该热中子吸收材料...

本发明提供了一种用于半导体器件的伸长凸块结构。最上方保护层中具有穿过该保护层的开口。在开口中形成有柱状物，并且该柱状物延伸至最上方保护层的至少一部分上方。延伸到最上方保护层上方的部分通常为伸长形状。在实施例中，相对于凸块结构的部分的开口...

一种方法，包括：将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化第一工件和第二工件之间的多个焊料凸块；以及在加热步骤之后，将多个焊料凸块凝固；在凝固步骤期间，将封装结构的第一侧保持在第一温度，第一温度高于多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用...

本发明提出了一种频率产生器及频率信号产生方法。频率产生器包含：一第一机械共振器、一第二机械共振器及一电路，电路连接于第一、第二机械共振器。第一机械共振器与第二机械共振器具有实质上相同的共振频率系数，频率系数为第一机械共振器与该第二机械共...

本发明公开了一种在基板上形成半导体层的方法。该方法包括将半导体层图案化成鳍状结构。该方法包括在鳍状结构上方形成栅极介电层和栅电极层。该方法包括图案化栅极介电层和栅电极层，从而使得所形成的栅极结构包围鳍状结构的部分。该方法包括实施多个注入...

本申请公开了一种制造应变的源极/漏极结构的方法。本公开的方法提供了一种用于在半导体器件中形成改进的源极/漏极部件的工艺过程。带有改进的源极/漏极部件的半导体器件可以防止或减少缺陷并且由外延层实现高的应变效应。在实施例中，该源极/漏极部件...

本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一基板，包括一电路区和一密封环区，上述密封环区围绕上述电路区。一密封环结构，设置于上述密封环区的上方，上述密封环结构具有一第一部分和位于上述第一部分上方的一第二部分，其中上述第一部分具有一宽度...

本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层。栅叠层包括：III-V化合物n型掺杂层；邻近III-V化合物n型掺杂层的III-V化合物...

本发明所述的实施例提供了用于以碳对STI中的氧化物进行掺杂以使窄结构和宽结构中的蚀刻率相等并且也使宽STI的角部变牢固的方法和结构。可以通过离子束(离子注入)或等离子体掺杂来进行这种碳掺杂。可以使用硬掩模层以防止下方的硅受到掺杂。通过使...

本发明提供了一种用于晶圆级测试的探针板。该探针板包括：间距转换器，其中嵌入有第一供电/接地线和第一信号线，其中，第一供电/接地线和第一信号线配置为在第一表面上具有第一布线间距，在第二表面上具有第二布线间距，第二布线间距基本小于第一布线间...

一种方法，包括：在半导体衬底的上方形成多个介电层；并且在该多个介电层中形成集成无源器件。然后，从该多个介电层中去除半导体衬底。将电介质衬底接合在多个介电层上。本发明还公开了一种用于在玻璃衬底上制造集成无源器件的方法。

一种数字控制电池充电器包括功率转换器、电压传感器、电流传感器、模式选择器以及数字控制器。电压传感器和电流传感器分别检测可充电电池的电压和流过可充电电池的电流。模式选择器选择来自电压传感器的输出端的信号或者来自电流传感器的输出端的信号作为...

公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；...

本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极...

本发明公开了一种分布式金属布线方法和系统。一个实施例包括金属_0层，该金属_1层位于金属_0层上方。金属_1层包括间单独的多个并联线，其中，并联线中都具有不同的信号，并且分布在整个金属_1层上。这种布局缩短了电流经过的距离，从而减小了金...

一种用于半导体芯片的驱动器，该驱动器包括：具有第一端和第二端的漏极线、带有源极、栅极和漏极的n型晶体管和p型晶体管。p型晶体管的源极连接到正电源线，n型晶体管的源极连接到接地电源线。p型晶体管的栅极和n型晶体管的栅极分别连接到第一输入信...

一种读放大电路包括：预充电电路，被配置为响应于预充电控制信号对连接至读节点的位线预充电；和读输出电路。读输出电路包括连接至读节点的读输出反相器。读输出反相器在位线预充电期间和在位线预充电完成以后的时间段内被禁用，并且此后，读输出反相器被...

器件包括在半导体衬底中的第一和第二重掺杂区域。至少一部分绝缘区域在半导体衬底中，其中该绝缘区域邻近第一和第二重掺杂区域。栅极绝缘层形成在半导体衬底的上方并且一部分栅极绝缘层位于一部分绝缘区域的上方。栅极形成在栅极绝缘层上方。漂浮导体位于...