非均匀沟道无结晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种在基板上形成半导体层的方法。该方法包括将半导体层图案化成鳍状结构。该方法包括在鳍状结构上方形成栅极介电层和栅电极层。该方法包括图案化栅极介电层和栅电极层，从而使得所形成的栅极结构包围鳍状结构的部分。该方法包括实施多个注入工艺，从而在鳍状结构中形成源极/漏极区域。实施多个注入工艺，从而使得鳍状结构中的掺杂轮廓是非均匀的，并且被栅极结构包围的鳍状结构的部分的第一区域具有比该鳍状结构的其他区域更轻的掺杂浓度级别。本发明专利技术还提供了一种非均匀沟道无结晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种非均匀沟道无结晶体管。
技术介绍
半导体工业的发展追求具有更高器件密度、更高性能和更低成本的纳米技术工艺节点。由于此种发展的出现，制造和设计两方面问题的挑战致使三维设计得到发展，诸如，鳍状场效应晶体管(FinFET)器件。典型的FinFET器件利用从基板中延伸出来的薄的 “鳍”(或鳍状结构)制造而成。该鳍通常包括硅并且形成晶体管器件的主体。晶体管的沟道形成这种垂直的鳍。栅极被设置(例如，包围)在该鳍上。这种类型的栅极能够更好地控制沟道。FinFET器件的其他优点包括减小了短沟道效应和增大了电流。然而，对于传统的FinFET器件来讲，高寄生电阻会对FinFET的漏极的电流量产生不良影响。因此，虽然现有的制造FinFET器件的方法通常可以达到其预期目的，但并不是在各个方面都完全令人满意。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种半导体器件，包括位于基板上方的半导体层，所述半导体层具有鳍状结构；位于所述鳍状结构上方的栅极结构，所述栅极结构具有栅极介电层和栅电极层，所述栅极结构包围着所述鳍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：后藤贤一，吴志强，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：