硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法及硅结晶生长用石英坩埚技术

本发明专利技术提供一种硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法，该涂敷方法能够将析晶涂层上形成的针孔直径抑制在较小水平。在本发明专利技术的涂敷方法中，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气泡石英层的表面，然后，加热至上述表面发生析晶的温度以上。上述包覆可以通过使所述内表面浸渍到所述碱土金属氢氧化物的溶液中来进行。此外，上述加热可以在向所述硅结晶生长用石英坩埚中填充熔融原料的固体原料之前进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于在硅结晶的制造中存积原料熔融液的硅结晶生长用石英坩埚中、形成用来防止氧化硅混入原料熔融液的析晶层涂层的方法。
技术介绍
对于使单结晶生长的提拉法中用于收容原料熔融液的坩埚而言，其内表面形成有用于防止杂质从坩埚混入原料熔融液的涂层。该涂层对单结晶的品质和成品率的影响较大，因此对其进行了多种研究。例如，日本特开平9 一 110579号公报中公开了如下方法，在约600°C以下的温度下，使析晶促进剂附着到使单结晶生长的提拉法中用于收容熔融半导体材料的坩埚的内表 面，然后加热至高于600°C的温度，从而在内表面实质上形成析晶后的二氧化硅的层。而且，作为析晶促进剂，可以列举包含选自钙、钡、镁、锶和铍中的碱土金属的析晶促进剂。通过上述方法，在实施提拉法时、特别是多晶硅熔融时，在由析晶促进剂带来的晶核形成部位形成稳定的籽晶核，玻璃质二氧化硅在坩埚表面结晶化，从而在坩埚表面形成实质上均匀且连续的β_方石英的析晶晶壳。在坩埚的内表面形成的实质上均匀且连续的析晶晶壳(相当于本专利技术中的析晶涂层)，在与熔融原料(硅熔体)接触时均匀地熔解，因而β_方石英粒子向熔体中的释放得到抑制，因此能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀冈佑吉，樱木史郎，
申请(专利权)人：FTB研究所株式会社，
类型：
国别省市：