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本发明提供一种硅结晶生长用石英坩埚的涂敷方法，该涂敷方法能够将析晶涂层上形成的针孔直径抑制在较小水平。在本发明的涂敷方法中，在硅结晶生长用石英坩埚的内表面形成厚度为80μm以上且4mm以下的无气泡石英层，并且使用碱土金属氢氧化物包覆所述无气...
该专利属于FTB研究所株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过FTB研究所株式会社授权不得商用。

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