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本发明公开了一种在基板上形成半导体层的方法。该方法包括将半导体层图案化成鳍状结构。该方法包括在鳍状结构上方形成栅极介电层和栅电极层。该方法包括图案化栅极介电层和栅电极层，从而使得所形成的栅极结构包围鳍状结构的部分。该方法包括实施多个注入工艺...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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