本发明揭示一种半导体元件及其形成方法，此方法包含提供含有上表面的基底，在基底的上表面形成栅极，栅极具有从基底的上表面测量的第一高度，蚀刻栅极，降低栅极至第二高度，第二高度大抵上小于第一高度。本揭示还包含半导体元件，此半导体元件包含具有上...

一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以...

一种存储器，包括：一行位单元，包括多个第一位单元和多个第二位单元；第一字线段驱动器和第二字线段驱动器，第一字线段驱动器连接到多个第一位单元，第二字线段驱动器连接到多个第二位单元，第一字线段驱动器和第二字线段驱动器选择性地可操作用于在一个...

一种图像传感器，该图像传感器包括设置在硅衬底上的吸收层，吸收层具有至少SiGe或Ge之一，和直接设置在吸收层上的反射层。

用于补偿带隙基准电路的结构和方法。提供了具有带有非零温度系数的第一带隙基准电路；并且具有第一输出基准信号的第一集成电路芯片，提供了具有带有为与第一带隙基准电路的温度系数相反极性的非零温度系数的第二带隙基准电路，并且具有第二输出基准信号的...

一种晶片盒，用以收纳多个晶片，包括一盒体、一卡匣以及一缓冲盖。卡匣设于该盒体之中，其中，该卡匣具有一开口，所述多个晶片收纳于该卡匣之中。缓冲盖设于该开口，该缓冲盖连接该卡匣，其中，该缓冲盖形成有多个限位凹槽，所述多个晶片插入所述多个限位...

一种半导体器件，具有：基板，包括主表面；栅极叠层，包括侧壁，位于基板上方；隔离件，位于基板上方，邻接栅极叠层的侧壁，其中，隔离件包括底面，底面具有外点，外点与栅极叠层的距离最远；隔离结构，位于基板中，栅极叠层的一侧，隔离结构的外边缘最靠...

本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却...

本公开涉及金属柱的制造。制造半导体器件的示例性方法包括的步骤有：提供具有接触焊盘的衬底；形成钝化层，其在衬底上方延伸并且在接触焊盘上有开口；在接触焊盘和部分钝化层上形成金属柱；在金属柱上方形成焊接层；以及使金属柱的侧壁与有机化合物发生反...

在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖...

本发明实施例提供一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置，该晶片承载装置包括导热层，设置于支撑基座上，导热层耦接至加热电路；多个孔洞，穿过导热层及支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至加热电路且延伸穿过孔洞并超出导热层，每一导热支撑杆具有...

在一种回流工艺中，将第一工作件和第二工作件之间的多个焊料凸块加热到熔化状态。在多个焊料凸块的固化阶段期间，在第一冷却率下将多个焊料凸块冷却。在完成固化阶段之后，在第二冷却率下将多个焊料凸块冷却，第二冷却率低于第一冷却率。本发明还公开了一...

多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属...

本发明提供了一种器件，该器件包括信号输入端，该信号输入端与静电放电(ESD)保护器件电通信，其中，该ESD器件保护器件包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。

本发明提供了一种电路，具有静电放电(ESD)保护器件以及被保护电路，该被保护电路与ESD保护器件相通信。ESD保护器件具有第一电感器，处于信号输入端和互补电源线之间，第一电感器的长度小于标准运行波长的1/4；该ESD保护器件还具有第一电...

本发明是关于一种半导体装置及其的制造方法、与微机电系统装置的制造方法。其中的半导体装置的制造方法包含形成一基材、形成块状硅的可移动件、形成第一凸起结构于可移动件的第一表面上，其中第一表面面对基材。本发明可使一些工艺使用高温退火，且可以降...

一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案，该方案包括以下方法：提供晶圆表示件，包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，该金属层包括：凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层，其中，固体金属图案包括：位于凸块焊盘正下方区域中...

描述了覆盖标记及其制造方法。在一个实施例中，半导体覆盖结构包括：栅叠层结构，形成在半导体衬底上方并被配置作为覆盖标记；以及掺杂半导体衬底，设置在栅叠层结构的两侧，至少包括与器件区域中的栅叠层结构相邻的半导体衬底一样多的掺杂物。通过至少三...

公开了一种用于清洁薄晶圆的器件和系统。一种优选实施例包括旋转夹盘，该旋转夹盘具有至少三个固定卡具。带有晶圆框架的薄晶圆通过胶带层安装在旋转夹盘上。当固定卡具打开时，晶圆框架的移除和放置不会受到阻碍。另一方面，当固定卡具锁定时，该固定卡具...

本发明提供了一种具有可调节设计窗口的ESD保护器件，包括：静电放电(ESD)器件，所述静电放电(ESD)器件包括：第一高电压阱(HVW)区域，为第一导电类型；第一重掺杂区域，位于所述第一HVW区域上方，为第二导电类型，所述第二导电类型与...