公开了用于半导体失配减少的系统和方法。实施例包括：半导体器件的高密度区域和低密度区域的导体密度和有源区域密度。为了提高导体密度和有源区域密度，可以将伪材料添加至低密度区域，从而减少了在高密度区域和低密度区域之间的内部密度失配。另外，可以...

一种设计集成电路的方法包括：限定出覆盖集成电路的第一金属层的部分和第二金属层的部分中的至少一个的至少一个伪层，第二金属层设置在第一金属层上方，集成电路的第一金属层、第二金属层以及栅电极具有相同的布线方向；以及对与被伪层覆盖的第一金属层的...

本发明公开了一种对微机电器件进行建模的系统和方法。一个实施例包括将微机电设计分成独立的区域，并且将该独立的区域分别进行建模。可以在独立的模型中使用参数化参数或者参数方程。上述独立的模型可以结合到MEMS器件模型中。可以对该MEMS器件模...

本发明提供一种方法，包括利用电子设计自动化工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局。布局布线操作由多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范。在利用RC提取工具的EDA工具中模拟虚拟导电填充图案...

本发明公开了使用总线倒置以减少同时信号切换，具体公开了一种方法，包括：接收多个第一并行数据；生成多个第一编码数据，其中，多个第一编码数据中的每个与多个第一并行数据中相应的一个相同；以及，将多个第一编码数据同时传输至多个并行总线线路，其中...

在本发明披露的一些实施例中，传感器包括基板、传感器元件和能量收集器件。传感器元件包括板件，并且板件相对于基板可移动。能量收集器件形成在传感器元件的板件上。

一种封装系统，包括：第一衬底结构，包括设置在第一衬底上方的至少一个第一导电结构；以及第二衬底结构，包括第二衬底，第二衬底结构与第一衬底结构相接合，其中，至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与第二衬底电连接。本发明还提供了一种封装系统及...

一种电路包括：第一节点；第二节点；上拉电路，选择地与第一节点或者第二节点相连接；下拉电路，选择地与第一节点或者第二节点相连接；以及电阻电路。该电路被配置为用于基于在第一节点和第二节点之间的电阻电路的电连接在全摆幅模式下或削弱模式下运行。...

本发明公开一种自适应感应设计。接收具有时钟脉冲宽度持续时间的时钟信号。接收延迟时间。确定时钟脉冲宽度持续时间和延迟时间之间的第一关系和第二关系。生成新时钟，该新时钟具有由第一关系和延迟时间确定的第一新时钟脉冲宽度持续时间和由第二关系和时...

本公开涉及一种LED器件和其制造方法。LED器件包括一个壳体，可将散热片与均热板进行结合，以组成一个介于其间的封闭空间。该LED器件包含LED模块，该模块与壳体连接并接近均热板。均热板可在封闭空间内均匀地分散LED模块散发的热量，并在散...

一种集成电路，包括一具有一表面的基板。一电感器设置于基板表面上方。电感器可操作以产生通过本身、且大抵上与表面平行的一磁场。本发明可提供更小的IC及提高性能。

一种器件包括：工件和位于该工件的表面上的金属迹线。在工件的表面处形成迹线上凸块(BOT)。BOT结构包括：金属凸块，和将所述金属凸块接合至该金属迹线的一部分的焊料凸块。该金属迹线包括：没有由该焊料凸块覆盖的金属迹线延伸部。本发明还提供了...

集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。

本披露的实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：包括最顶层金属化层的多个金属化层。最顶层金属化层具有厚度为T1并且分开一间隙的两个金属部件。复合钝化层包括在氮化层之下的HDP?CVD氧化层。复合钝化层设置在金属部件之上并且部分填充...

一种模数转换(ADC)校准装置，包括校准缓冲器、比较器和数字校准模块。各个参考电压被发送至跟踪保持放大器以及校准缓冲器。比较器比较跟踪保持放大器的输出和校准缓冲器中的输出，并且产生数字值。基于逐次逼近方法，数字校准模块得到用于补偿ADC...

一种包括电压电平向上移位器和电压电平向下移位器的阈值电压检测装置。阈值电压检测装置放置在电路中，该电路在低电压半导体工艺中制造。阈值电压检测装置接收宽范围的输入信号和产生包括输入信号的逻辑的输出信号，输出信号的电压范围是适合低电压电路的...

具有电源线，控制开关，至少一个保护器件和至少一个电压箝位器件的输出驱动器。输出线和至少一个电压箝位器件。控制开关设置在至少一个保护器件和电源线之间。该至少一个保护器件以串联排布设置在输出线和控制开关之间。该至少一个电压箝位器件跨在对应的...

一种电路包括：第一节点，被配置为接收射频(“RF”)信号；第一静电放电(ESD)保护电路，连接至用于RF电路的第一电压电源导轨；和第二ESD保护电路，连接至第二节点和用于RF电路的第二电压电源节点。将RF扼流电路连接至第二节点和设置在第...

一种二极管包括：第一导电类型的阳极、第一导电类型的第一阴极；以及第二导电类型的第二阴极，第二导电类型与第一导电类型相反。第一导电类型的轻掺杂区位于阳极和第一阴极及第二阴极下部并与阳极和第一阴极及第二阴极垂直重叠。在没有将偏置电压施加在阳...

本发明公开一种利用调谐电感器的电容式临近通信，包括芯片堆叠封装，该封装包括：至少一对堆叠管芯，该对管芯具有重叠的相对面；以及在该对堆叠管芯之间的至少一个电容式临近通信(CPC)互连件。该CPC互连件包括在重叠的相对面的第一面处的第一电容...