输出驱动器制造技术

具有电源线，控制开关，至少一个保护器件和至少一个电压箝位器件的输出驱动器。输出线和至少一个电压箝位器件。控制开关设置在至少一个保护器件和电源线之间。该至少一个保护器件以串联排布设置在输出线和控制开关之间。该至少一个电压箝位器件跨在对应的保护器件设置，该至少一个电压箝位器件用于将跨在保护器件的电压箝位在预定阈值电压以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种输出驱动器，更具体地，本专利技术涉及一种具有输入节点和输出节点的输出驱动器。
技术介绍
随着半导体电路被制造得更小，晶体管的工作电压也被按比例缩小以防止晶体管的击穿。结果，也降低了栅极和驱动器的输出电压。然而，一些遗留系统需要比形成栅极的晶体管可以承受的电压更高的来自栅极的输出电压。因此，将具有级联排布的附加晶体管的电路用于转换较高的输出电压。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供了一种具有输入节点和输出节点的输出驱动 器，所述输出驱动器包括连接在电源线和所述输出节点之间的控制开关，所述控制开关设置成响应所述输入节点上的信号，选择性地达到在所述输出节点和所述电源线之间的电流通路；至少一个在所述输出节点和所述控制开关之间以串联连接的保护器件；以及至少一个与所述至少一个保护器件并联连接的电压箝位器件，并且所述电压箝位器件设置成将跨在所述至少一个保护器件的电压箝位至预定阈值电压以下的电压电平值。根据本专利技术所述的输出驱动器，还包括至少一个对应于每个所述至少一个保护器件的第一电压参考线，每个所述至少一个保护器件都用于基于所述至少一个第一电压参考线上对应的第一参考电压控制所述至少一个保护器件和所述电源线之间的电压。根据本专利技术所述的输出驱动器，还包括设置在所述至少一个保护器件和所述控制开关之间的中间保护器件。根据本专利技术所述的输出驱动器，还包括被调整以输出第二参考电压的第二电压参考线，而且所述中间保护器件用于基于所述第二参考电压控制跨在所述控制开关的电压。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述中间保护器件用于基于所述至少一个第一电压参考线之一上对应的第一参考电压控制跨在所述控制开关的电压。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述至少一个电压箝位器件由二极管，二极管-连接的场效应晶体管，二极管-连接的双极晶体管或齐纳二极管的至少之一形成。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述至少一个电压箝位器件由两个二极管-连接的场效应晶体管以串联排布形成。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述控制开关，所述至少一个保护器件和所述中间保护器件的每一个都由场效应晶体管形成。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述至少一个电压箝位器件用于在所述输出节点从低电压状态到高电压状态的至少一个转换过程中将跨在所述至少一个保护器件的电压箝位至预定的阈值电压以下。根据本专利技术所述的一种输出驱动器包括中间保护器件；控制开关，所述控制开关设置在所述中间保护器件和电源线之间；输出线；保护器件，所述保护器件设置在所述输出线和所述控制开关之间；中间保护器件，所述中间保护器件设置在所述保护器件和所述控制开关之间；电压箝位器件，所述电压箝位器件设置为跨在所述保护器件而且用于将跨在所述保护器件的电压电平值箝位在预定阈值电压以下；以及参考电压线，所述参考电压线与所述保护器件的栅极和所述中间保护器件的栅极连接。根据本专利技术所述的输出驱动器，所述电压箝位器件由二极管，二极管-连接的场效应晶体管，二极管-连接的双极晶体管或齐纳二极管的至少之一形成。 根据本专利技术所述的输出驱动器，所述电压箝位器件由两个二极管-连接的场效应晶体管以串联排布形成。根据本专利技术所述的一种运行输出驱动器的方法，包括输入信号给控制开关；基于所述输入信号将来自电源线的电流转换经过所述控制开关；所述电流流经至少一个保护器件；以及使用跨在每个所述至少一个保护器件设置的对应的电压箝位将跨在每个所述至少一个保护器件的电压箝位在对应的预定阈值电压以下。根据本专利技术所述的方法，还包括输入至少一个第一参考电压给每个所述至少一个保护器件；以及基于所述至少一个第一参考电压控制在所述至少一个保护器件和所述电源线之间的电压。根据本专利技术所述的方法，还包括使所述电流流经设置在所述至少一个保护器件和所述控制开关之间的中间保护器件。根据本专利技术所述的方法，还包括输入第二参考电压给所述中间保护器件；以及基于所述第二参考电压控制跨在开关器件的电压。根据本专利技术所述的方法，还包括使用二极管，二极管-连接的场效应晶体管，二极管-连接的双极晶体管或齐纳二极管的至少之一形成所述对应的电压箝位器件。根据本专利技术所述的方法，还包括使用两个以串联排布的二极管-连接的场效应晶体管形成所述对应的电压箝位器件。根据本专利技术所述的方法，由场效应晶体管形成每个所述控制开关，所述至少一个保护器件和所述中间保护器件。根据本专利技术所述的方法，在所述输入信号从低电压状态到高电压状态或从高电压状态到低电压状态的至少一个转换过程中用所述对应的电压箝位器件将跨在所述至少一个保护器件的电压箝位至对应的预定阈值电压以下。附图说明结合附图，通过实例的方式而不是限定说明一个或多个实施例，其中具有相同参考数字标记的元件代表相同的元件，其中图I是根据实施例的输出驱动器的示意性视图；图2是没有电压箝位的图I所示驱动器的各个电压的电压对时间图；图3是图I所示驱动器的各个电压的电压对时间图；图4是根据实施例的输出驱动器的示意性视图；图5是根据另一个实施例的输出驱动器的示意性视图；图6是根据另一个实施例的输出驱动器的示意性视图7是运行图I所示输出驱动器的方法的流程图。具体实施例方式图I是根据实施例的输出驱动器100的示意性视图。输出驱动器100包括按串联排布并且按顺序从负载120连接到接地电源线125的电压箝位位保护器件105，中间保护器件110和控制开关115。输出驱动器100还包括与负载120和电压箝位位保护器件105之间的连接点连接的输出线130。负载120设置在输出驱动器100 (通过电压箝位位保护器件105)和正电源线135之间。电压箝位位保护器件105包括保护器件140和跨在设置的电压箝位145，即与保护器件的源极和漏极连接。保护器件140的漏极与输出线130连接而且保护器件的源极与中间保护器件110的漏极连接。保护器件140的栅极与电压参考线150连接。 中间保护器件110的栅极与电压参考线150连接而且中间保护器件的源极与控制开关115的漏极连接。控制开关115设置在中间保护器件110和接地电源线125之间。控制开关115的源极与接地电源线125连接而且控制开关的栅极与输入线155连接。第一节点160是控制开关115和中间保护器件110的源极之间的连接点。第二节点165是中间保护器件110的漏极和保护器件140的源极之间的连接点。电压箝位145包括两个二极管-连接的n-沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管170。每个二极管-连接的n-沟道金属氧化物半导体晶体管170都具有例如约0. 65V的阈值电压。控制开关115，中间保护器件110和保护器件140是n-沟道MOS器件。在一些实施例中，输出驱动器100的负载120是电阻器。在另一个实施例中，负载是另一个与输出驱动器100相似的互补输出驱动器，但是由P-型器件形成。图5是输出驱动器180的实施例,其中负载120是输出驱动器100的互补-对称形式。负载120中每个具有“ '”的元件都是输出驱动器100中没有“ 的元件的互补元件。负载120中的每个晶体管都是P-沟道(MOS)晶体管。互补输出驱动器180具有互补输出线155'和互补电压参考线15(V。 ' '在运行时，将施加给输出驱动器100的电流和电压设置成保护控制开关115，中间保护器件110和保护器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.17 US 13/029,7061.一种具有输入节点和输出节点的输出驱动器，所述输出驱动器包括 连接在电源线和所述输出节点之间的控制开关，所述控制开关设置成响应所述输入节点上的信号，选择性地启用在所述输出节点和所述电源线之间的电流通路； 至少一个在所述输出节点和所述控制开关之间以串联配置的保护器件；以及至少一个与所述至少一个保护器件并联连接的电压箝位器件，并且所述电压箝位器件设置成将跨在所述至少一个保护器件两端的电压箝位至预定阈值电压以下的电压电平值。2.根据权利要求I所述的输出驱动器，还包括至少一个对应于每个所述至少一个保护器件的第一电压参考线，每个所述至少一个保护器件都被用于基于所述至少一个第一电压参考线上对应的第一参考电压控制所述至少一个保护器件和所述电源线之间的电压。3.根据权利要求2所述的输出驱动器，还包括设置在所述至少一个保护器件 和所述控制开关之间的中间保护器件。4.根据权利要求3所述的输出驱动器，还包括用于输出第二参考电压的第二电压参考线，而且所述中间保护器件用于基于所述第二参考电压控制跨在所述控制开关两端的电压。5.根据权利要求3所述的输出驱动器，所述中间保护器件用于基于所述至少一个第一电压参考线之一上对应的第一参考电压控制跨在所述控制开...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛振廷，简骏业，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：