【技术实现步骤摘要】
本专利技术基本上涉及半导体器件领域，并且更具体地涉及。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了迅速发展。IC材料和设计的技术优势生产出多代1C，其中每一代都比上一代具有更小并且更复杂的电路。然而，这些优势增加了 IC的加工和制造的复杂性并且为了实现这些优势，在加工和制造IC中也需要类似的发展。在一系列的IC革新中，功能性密度(即，单位芯片面积中的互连器件的数量)通常随着几何尺寸(即，使用制造工艺所能够创造出的最小的部件(或线))的减小而增大。该缩减工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩减还产生了相对较高的功率损耗值，这种功率损耗可以通过使用诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的低功率损耗器件来解决。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种设计集成电路的方法，所述方法包括限定出至少一个伪层，所述至少一个伪层覆盖集成电路的第一金属层的部分和第二金属层的部分中的至少一个，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方，所述集成电路的所述第一金属层、所述第二金属层以及栅电极具有相同的布线方向；以及对与所述伪层覆...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.14 US 13/047,4191.一种设计集成电路的方法，所述方法包括 限定出至少一个伪层，所述至少一个伪层覆盖集成电路的第一金属层的部分和第二金属层的部分中的至少一个，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方，所述集成电路的所述第一金属层、所述第二金属层以及栅电极具有相同的布线方向；以及 对与所述伪层覆盖的所述第一金属层的部分和所述第二金属层的部分中的至少一个对应的文件执行逻辑运算，从而确定出所述第一金属层的部分和所述第二金属层的部分中的至少一个的尺寸。2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述至少一个伪层覆盖了所述第一金属层的部分和所述第二金属层的部分，或者 其中，所述至少一个伪层进一步覆盖了所述集成电路的所述栅电极的部分和扩散区域的部分中的至少一个，或者 其中，所述至少一个伪层覆盖了所述集成电路的宏部件和标准单元阵列中的至少一个，并且所述宏部件和所述标准单元阵列中的至少一个包括所述第一金属层的部分和所述第二金属层的部分中的至少一个。3.根据权利要求I所述的方法，其中，对所述文件执行所述逻辑运算包括对所述文件的布局数据库执行所述逻辑运算，从而生成经过逻辑运算的布局数据库，并且所述方法进一步包括 在所述逻辑运算之后，所述经过逻辑运算的布局数据库被转换为图形数据系统(GDS)文件。4.根据权利要求I所述的方法，进一步包括 在所述逻辑运算之前，将所述文件的布局数据库转换为图形数据系统(GDS)文件，其中，对所述文件执行所述逻辑运算包括对所述文件的所述GDS文件执行逻辑运算，从而生成经过逻辑运算的⑶S文件。5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述集成电路包括 第一类型晶体管的第一扩散区域，所述第一类型晶体管包括在所述第一扩散区域中的第一源极/漏极(S/D)区域； 第二类型晶体管的第二扩散区域，所述第二扩散区域与所述第一扩散区域分隔开，所述第二类型晶体管包括在所述第二扩散区域中的第二 S/D区域； 所述栅电极，在所述布线方向上横跨所述第一扩散区域和所述第二扩散区域连续地延伸； 所述第一金属层，与所述第一 S/D区域电连接；以及 所述第二金属层，与所述第一金属层电连接，其中，所述第一金属层比所述第二金属层宽。6.一种设计集成电路的方法，所述方法包括 限定出至少一个伪层，所述至少一个伪层覆盖集成电路的第一金属层的至少一部分、第二金属层的至少一部分、栅电极的至少一部分以及扩散区域的至少一部分，其中，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方，并且所述集成电路的所述第一金属层、所述第二金属层以及栅电极具有相同的布线方向；以及 对与所述集成电路的所述第一金属层的部分、所述第二金属层的部分、所述栅电极的部分以及所述扩散区域的部分对应的文件执行逻辑运算，从而确定所述第一金属层的部分和所述第二金属层的部分中的至少一个的尺寸，进而调节所述集成电路的电阻-电容(RC)时间延迟。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述至少一个伪层覆盖了所述集成电路的宏部件和标准单元阵列中的至少一个，并且所述宏部件和标准单元阵列中的至少一个包括所述第一金属层的部分、所述第二金属层的部分、所述栅电极的部分以及所述扩散区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭大鹏，田丽钧，林学仕，黄美惠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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