本发明公开了一种具有栅极叠层的器件，该器件包括漏极、源极、以及栅极叠层。栅极叠层具有栅极介电层、直接位于栅极介电层顶部上的栅极导电层、以及直接位于栅极导电层的顶部上的第一栅极层和第二栅极层。第一栅极层的第一电阻高于第二栅极层的第二电阻。...

提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的...

一种电路，包括：半导体衬底；底部金属层，位于半导体衬底的上方，其中，在半导体衬底和底部金属层之间没有附加的金属层；以及单元，包括位于底部金属层下方的栓塞层级电源轨。本发明还提供了一种在底部金属层下方带有电源轨的集成电路布局。

本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸...

本发明提供一种电子束投射装置、制造电子束投射装置的方法以及使用电子束投射装置处理基板的方法。示范例的电子束投射装置包括具有多个芯片的基板，其中每个芯片包括芯片架构。芯片架构包括压电薄膜部分以及设置于压电薄膜部分上方的尖端。本发明可降低工...

一种设计标准单元的方法，包括：确定标准单元中的半导体鳍的最小鳍间距，其中，半导体鳍是FinFET的部分；以及确定在标准单元上方的底部金属层中的金属线的最小金属间距，其中，最小金属间距大于最小鳍间距。该标准单元被布置在集成电路中并且实现在...

本公开提供了一种制造光电二极管(LED)器件的方法的一个实施例。该方法包括：在第一衬底上形成纳米掩模层，其中，纳米掩模层具有随机布置的颗粒图案；在第一衬底中生长第一外延半导体层，形成纳米复合层；在纳米复合层上方生长若干外延半导体层；从外...

公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后优化生成的FinFET结构。在验证和输出FinFET布局之前可以生成伪图案和新金属层。本发明还...

公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并生成对应的FinFET结构。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。

公开了用于根据用于具有平面晶体管的器件的第一布局生成用于具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后优化生成的FinFET结构。可以在验证和输出FinFET布局之前生成伪图案和新金属层。...

本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述...

一个实施例是集成电路。该集成电路包括时钟发生器和数据传输线。时钟发生器生成时钟信号。至少一些时钟信号与输入至时钟发生器中的输入时钟信号具有相位差，以及至少一些时钟信号具有相对于至少另一个时钟信号的不同相位差。至少部分地通过至少一个时钟信...

本发明提供一种器件，该器件包括衬底以及衬底上的立式电感器。立式电感器包括金属形成的多个部件，其中每个部件沿垂直于衬底的主表面的多个平面之一延伸。金属线使立式电感器的多个部件中相邻部件互连。本发明还提供了一种沿垂直平面延伸的紧凑立式电感器。

提供一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有设置在半导体衬底上方的介电层和设置在该介电层上方的无源元件。该集成电路器件进一步包括处在无源元件下方的隔离矩阵结构，其中，隔离矩阵结构包括多个沟槽区域，每个...

一种用于处理较薄集成电路管芯的真空端部和方法。公开了用于附接集成电路管芯的真空端部，该真空端部包括：真空端部，用于附接到集成电路管芯，真空端部包括真空端口并且具有底面，真空端口被配置为连接至位于上表面上的真空源；以及至少一个真空孔，连接...

本发明公开一种以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描的方法，于光刻步进及扫描投影系统中实现于两或多个失焦位置之两或多个失焦晶片图像之分离重叠的方法。该方法包含使掩膜板及晶片中之一个相对于扫描方向倾斜，以及将光束分开于位于该掩膜板之不同失焦区中...

本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金...

一种具有微结构透镜的发光二极管(LED)包括：LED管芯和微结构透镜。微结构透镜包括：凸透镜部；至少一个同心脊状结构，围绕凸透镜部；和下部，位于凸透镜部和至少一个同心脊状结构的下方。将下部配置为设置在LED管芯上方。自LED管芯的边缘至...

一种电路结构包括第一隔离区域以及第一伪栅电极，该第一伪栅电极在第一隔离区域上并且与其垂直重叠。二极管的第一拾取区域形成在第一隔离区域的相对面上，其中，第一拾取区域的侧壁与第一隔离区域的相对侧壁接触。二极管的第二拾取区域形成在第一拾取区域...

本发明涉及集成电路制造，更具体地来说，涉及带有栅极介电层的半导体器件。一种半导体器件的示例性结构包括：衬底，具有第一有源区域；第一栅极结构，位于第一有源区域上方，其中，第一栅极结构包括第一界面层，具有凸形顶面；第一高-k电介质，位于第一...