具有偏置阱的高压电阻器制造技术

本发明专利技术提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及具有偏置阱的高压电阻器。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业经历了快速的发展。IC材料和设计中的技术进步产生出了一代又一代1C，每代IC都比前一代IC更小更复杂。然而，这些改进同时还增加了处理和制造IC的复杂程度，对于这些即将实现的改进，需要在IC处理和制造中进行类似的改进。在IC的发展期间，随着几何尺寸(即，利用制造工艺可以形成的最小元件)的减小，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)通常会增大。可以在半导体晶圆上制造各种类型的无源电路元件。例如，可以将电阻器形成为 晶圆上的无源电路元件。在一些应用方式中，需要利用这些电阻器来承受高压，例如几百伏特高的电压。然而，在达到足够高的电压之前，传统的高压电阻器就可能会遇到器件击穿问题。因此，尽管现有的高压电阻器通常足以完成其预期目的，但是并非在各个方面都完全令人满意。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体器件，包括掺杂区域；绝缘器件，被设置在掺杂区域的部分上方；电阻器，被设置在绝缘器件上方，其中，电阻器在一个末端处包括第一端，并在相对末端处包括第二端；以及互连结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：掺杂区域；绝缘器件，被设置在所述掺杂区域的部分上方；电阻器，被设置在所述绝缘器件上方，其中，所述电阻器在一个末端处包括第一端，并在相对末端处包括第二端；以及互连结构，被设置在所述电阻器上方，其中，所述互连结构连接到所述掺杂区域和所述电阻器的部分，所述电阻器的部分设置在所述第一端和所述第二端之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏如意，杨富智，蔡俊琳，郑志昌，柳瑞兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：