【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体三极管生产测试的
，特别是一种通过测试半导体三极管的反向击穿参数而判断三极管偏置电阻值的方法。
技术介绍
带电阻三极管是将一只或两只电阻器与晶体管连接后封装在一起构成的，广泛应用于V⑶、彩电、影碟机、录像机、DVD、显示器等多种视频、通信类数字电子产品上。数字晶体管实际就是带电阻的三极管，有的仅在基极上串联一只电阻，一般称为R1，有的在基极与发射极之间还并联一只电阻R2 (如图I)。电阻Rl有多种电阻，类似标准电阻系列配制，电阻R2情况类似R1，电阻Rl与电阻R2可按多种方式搭配，因此数字晶体管的品种很多。数字晶体管内部集成了一个外接电阻偏置网络，为开关、逆变器、接口及驱动电路而量身定做，这种带有内置电阻的数字晶体管是高集成度与封装优势的结合，是手机、PDA、手持式游戏机、笔记本电脑及其它便携式应用的理想选择，可减少元件数目和成本，简化电路设计，占位面积小，有助于节省板空间、降低设计成本、简化电路设计并使到系统性能最大化，能满足超便携式应用对高度的要求。数字晶体管封装形式主要有SOT - 23、SOT 一 323、TO 一 92S...
【技术保护点】
判定半导体三极管内部偏置电阻值的测试方法，用于测试的三极管结构为内部晶片上的基极上串联有第一电阻（R1），三极管的基极与发射极上并联有第二电阻（R2），其特征在于：包括如下步骤：步骤1，通过晶体管特性图示仪显示三极管的反向特性曲线图，根据反向特性曲线图中的拐点（B）初步确定三极管的eb结反向击穿电压U(BR)EBO和反向电流I；步骤2，将三极管设置在测试电路中，在三极管eb结上加一反向电压UB，该反向电压UB要小于三极管eb结反向击穿电压U(BR)EBO，三极管eb结上产生相应的反向电流IB，随着反向电压的增加，反向电流逐渐上升，呈现一典型电阻特性，把测得的三极管eb结上两...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨林，严向阳，张国光，庞学景，徐庆文，姚剑锋，刘晓荣，张国俊，杨谱，陈祺，代新鹏，
申请(专利权)人：佛山市蓝箭电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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