【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统
本技术涉及半导体芯片直流性能的测试方法领域，具体为一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统。
技术介绍
GaN及SiC等半导体材料因其具有禁带宽、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优良特性，决定了将它们大量应用在宽禁带半导体器件制作之中。基于GaN及SiC等半宽禁带导体材料可制作芯片，芯片经过宽禁带半导体芯片封装后称为器件。芯片在封装之前需要对其直流性能进行测量，保证芯片合格。宽禁带半导体芯片直流性能由以下参数表征饱和电流、跨导、夹断电压、击穿电压等，测量芯片直流性能即对上述参数完成测量。GaN及SiC材料制作的芯片具有工作电压高、工作电流大的特点，其工作电压一般为28-48V，比GaAs高得多，工作电流由其输出功率决定，一般为1A-10A。我们把饱和电流小于2A的GaN及SiC芯片称为小栅宽芯片，饱和电流大于2A的GaN及SiC芯片称为大栅宽芯片。如上所述，大栅宽GaAs芯片为低压、大电流芯片，大栅宽GaN及SiC芯片称为高压、 大电流芯片。对于小栅宽芯片，测量其直流参数采用一般的图示仪即可实现。但对于大栅宽芯片，普通图示...
【技术保护点】
一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统，其特征在于包括用于提供直流电源的栅极电源和漏极电源、栅极电流表和漏极电流表、测试信号发生器、测试信号调制器以及用于放置目标测试芯片的、带有栅极输入端和漏极输入端的探针台；所述栅极电源的输出端经由栅极电流表与探针台的栅极输入端相连接，所述漏极电源依次经由漏极电流表、测试信号调制器后与探针台的漏极输入端相连接；所述测试信号发生器的输出端与测试信号调制器的触发端相连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：默江辉，李静强，马杰，李亮，崔玉兴，付兴昌，蔡树军，杨克武，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：实用新型
国别省市：
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