【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体及微传感器晶圆测试领域，具体涉及一种硅通孔超薄晶圆测试结构，以及利用该结构对带有硅通孔的超薄晶圆进行测试的方法。
技术介绍
在半导体及微传感器领域中，制造完成的半导体及传感器晶圆或芯片在进行封装前需进行测试，剔除不合格的产品。带有硅通孔的晶圆，由于晶圆两面都有电极，因此需要采用双面测试的方法。如美国专利US7420381揭露了一种双面测试方法，将待测器件垂直放置，用探针接触待测器件的两面进行测试。但这种测试方法仅适用于小尺寸的待测器件，对于硅通孔超薄晶圆，由于尺寸较大，采用上述垂直放置测试的方式，超薄晶圆可能会产生翘曲或碎裂，无法进行可靠的测试。因此有必要寻找一种新型硅通孔超薄晶圆测试结构或方法解决这个问题。使用本专利技术的硅通孔超薄晶圆测试结构可以解决这一问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅通孔超薄晶圆测试结构，以及利用该结构对带有硅通孔的超薄晶圆进行测试的方法，可以对超薄晶圆提供良好的机械支撑，避免产生翘曲或碎裂。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案一种硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于，包括一带有重新布线层的转接板，所...
【技术保护点】
一种硅通孔超薄晶圆测试结构，其特征在于，包括一带有重新布线层的转接板，所述转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱韫晖，孙新，马盛林，缪旻，陈兢，金玉丰，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。