【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
纳米结构的宽禁带半导体的表面分子层缺陷的填充方法，其特征在于，包括如下：（1）将纳米结构的宽禁带半导体电极浸入染料溶液中进行染色；（2）将上述染色后的半导体薄膜浸入含有填充剂的溶液中进行染料分子层缺陷的填充；所述的染料在填充剂的溶液中的溶解度小于10微摩尔每升。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，杨林，王鹏，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：
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