一种粘片机制造技术

技术编号:45412114 阅读:28 留言:0更新日期:2025-05-30 18:09
本发明专利技术涉及粘片机技术领域,具体公开了一种粘片机,设置了用于降低第二输送通道内温的降温模块,降温模块包括设于第二轨道下端并且沿x向分布的若干第一加热装置,每个第一加热装置的加热温度均可单独设置,通过设置第二输送通道,加长了降温轨道,延长降温距离,而且利用第一加热装置的独立温度控制,使得第二输送通道内形成具有一定梯度的降温区间,避免晶片快速冷却,确保硅晶片的硼掺杂区域的杂质分布均匀性,从而保证了晶片的电学性能和稳定性;此外,较为平稳地降温,还能降低晶片开裂的风险。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及粘片机,特别涉及一种粘片机。


技术介绍

1、在半导体器件如igbt或模组等的封装过程中,固定晶片(简称固晶)是一个重要的工序。固晶的过程通常分为三步:第一步,在料带的框架基岛上,由焊料机构(也称焊料模块)进行点画锡;第二步,吸片机械臂将晶片从晶圆盘上取出;第三步,机械臂将取出的晶片移放到已点/画锡的固晶工位上。因此,固晶的强度、加热时间和加热次数是保证功率器件质量的重要条件,该条件是衡量粘片机固晶效率的一项重要指标。

2、粘片机在固晶过程中,需要从25℃升高温度至390℃的工作温度,使晶片固定于料带的框架基岛上,完成固晶后需要降温至260℃,常规的粘片机降温结构,通常是设置一条较短的轨道进行降温,降温速度较快。

3、一方面,对于硼掺杂的硅晶片来说,高温扩散和离子注入是两种主要的硼掺杂技术,其中高温扩散是杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片表面,而离子注入则是将掺杂离子以离子束的形式注入半导体内。而快速降温可能导致硼掺杂区域杂质分布不均匀,影响晶片的电学性能和稳定性。

4、另一方面,采用常规贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种粘片机,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述第二输送通道(501)内的温度沿其输送方向逐渐降低。

3.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述升温模块包括设于所述第一轨道(11)下端并且沿x向分布的若干第二加热装置(62),每个所述第二加热装置(62)的加热温度均可单独设置;

4.根据权利要求3所述的一种粘片机,其特征在于,所述第一加热装置(61)、第二加热装置(62)均为电热柱。

5.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述第一盖板(12)内设有多个沿y向并排的第一气通道(122...

【技术特征摘要】

1.一种粘片机,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述第二输送通道(501)内的温度沿其输送方向逐渐降低。

3.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述升温模块包括设于所述第一轨道(11)下端并且沿x向分布的若干第二加热装置(62),每个所述第二加热装置(62)的加热温度均可单独设置;

4.根据权利要求3所述的一种粘片机,其特征在于,所述第一加热装置(61)、第二加热装置(62)均为电热柱。

5.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述第一盖板(12)内设有多个沿y向并排的第一气通道(122),所述第一气孔(121)与所述第一气通道(122)连通,所述第一盖板(12)上设有与所述第一气通道(122)连通的第一气接头(123);

6.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述焊料机构(20)还包括第一支架(22)、固定在所述第一支架(22)上并且沿z向驱动的第一升降装置(23)、连接在所述第一升降装置(23)输出端的第一安装板(24),所述焊料头(21)固定于所述第一安装板(24),所述焊料头(21)的喷口与所述焊料供料装置连通。

7.根据权利要求1所述的一种粘片机,其特征在于,所述粘片机构(40...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚剑锋肖佳白振伟颜志扬庞隆基
申请(专利权)人:佛山市蓝箭电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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