低压晶体管的偏置制造技术

一种场效应晶体管电路，包括具有连接到各电源（Ｖ↓［ｓｓ］，４）线的漏极（Ｄ）和源极（Ｓ）端以及接收输入信号的栅极（Ｇ）端的场效应晶体管（１），该电路还包括一个二极管（６），它的阳极（Ｂ）连接到晶体管（１）的栅极（Ｇ）端，它的阴极连接到偏置电压源（７，Ｖ↓［ｂ］），其中设置二极管（６）以使电路使用时，场效应晶体管（１）的栅极（Ｇ）端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场效应晶体管电路，包括具有连接到各电源线的漏极和源极端以及接收输入信号的栅极端的场效应晶体管，该电路还包括一个二极管，它的阳极连接到晶体管的栅极端，它的阴极连接到偏置电压源，其中设置二极管以使在电路使用时，场效应晶体管的栅极端的电压电平保持在预定的值或低于预定的值。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：PO布兰德特，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]