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本发明公开了一种判定半导体三极管内部偏置电阻值的测试方法，在三极管eb结上加反向电压，反向电压小于反向击穿电压，eb结上产生反向电流，把测得的三极管eb结上两端所加电压的差值与电流差值相比，得到第一电阻与第二电阻的和值，加大反向电压，使反向...
该专利属于佛山市蓝箭电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市蓝箭电子股份有限公司授权不得商用。

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