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本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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