电光装置、投射型显示装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供即使扩展存储电容的形成区域，也难以产生显示光的出射光量的降低和/或像素电极的端部附近的电位分布的紊乱的电光装置、投射型显示装置及电子设备。在液晶装置100中，在各像素，第1电极层7相对于透光的电介质层40设置于基板主体10w所位于的一侧，透光性的第2电极层8a相对于电介质层40设置于像素电极9a所位于的一侧。因此，通过透光性的第1电极层7、透光性的电介质层40及透光性的第2电极层8a构成存储电容55。此外，在存储电容55与像素电极9a之间设置有透光性的层间绝缘膜44。因此，能够将像素电极9a形成于通过研磨平坦化了的平坦面上，并且在被施加共用电位的第1电极层7与像素电极9a的端部之间不会产生多余的电场。

【技术实现步骤摘要】
电光装置、投射型显示装置及电子设备
本专利技术涉及在元件基板设置有存储电容的电光装置、具备该电光装置的投射型显示装置及电子设备。
技术介绍
在液晶装置和/或有机场致发光装置等有源矩阵型的电光装置中，具备像素晶体管及透光性的像素电极的像素配置为矩阵状，利用通过经由扫描线供给的扫描信号使像素晶体管导通的期间对像素晶体管供给图像信号。此外，在电光装置中，通过在各像素设置存储电容，来实现显示图像的高对比化等。此时，构成存储电容的电极，由于包含金属膜等遮光性材料，所以为了不妨碍来自像素的显示光的出射，设置于与由相邻的像素电极夹着的像素间区域俯视重叠的区域(参照专利文献1)。但是，在电光装置中，在以形成更加高清晰的图像等为目的实现了像素间距的缩小和/或像素大小的小型化的情况下，直接用专利文献1所记载的结构，存在着不能确保对于存储电容的形成而言所充足的面积、不能构成具有充足的电容值的存储电容这样的问题。特别是，在液晶装置之中的透射型的液晶装置和/或从基板主体侧出射显示光的底部发射类型的有机场致发光装置中，由于存在必须在不妨碍显示光的出射的位置设置存储电容的限制，所以上述的问题显著。因此，如图9示意性所示，提出了在相对于透光性的像素电极9a俯视重叠的区域设置透光性的电介质层40及透光性的电极7w且对电极7w和对置基板20侧的共用电极21施加共用电位的液晶装置(参照专利文献2)。在这样的结构的液晶装置中，由于通过透光性的像素电极9a、透光性的电介质层40和透光性的电极7w构成存储电容55w，所以具有即时扩展存储电容55w的形成区域，也不妨碍显示光的出射的优点。【专利文献1】特开2010-96966号公报【专利文献2】特开2010-176119号公报在专利文献2所记载的结构中，存在着在像素电极9a的端部附近不能适宜地控制液晶层50的取向、图像的清晰度降低的问题。更具体地，在液晶装置中，通过在元件基板10侧的像素电极9a与对置基板20侧被施加共用电位的共用电极21之间产生的纵方向的电场(由箭头V1表示的电场)控制液晶分子的取向。但是，在专利文献2所记载的结构中，在与由相邻的像素电极9a夹着的像素间区域10f重叠的区域，在被施加共用电位的电极7w的上层仅存在电介质层40。因此，在像素电极9a与电极7w之间产生通过液晶层50的多余的电场(由箭头V2表示的电场)。因此，在液晶层50，在像素电极9a的端部附近会产生电位分布的紊乱，液晶分子的取向变得紊乱。
技术实现思路
鉴于以上的问题，本专利技术的课题在于提供即使扩展存储电容的形成区域，也难以产生显示光的出射光量的降低和/或像素电极的端部附近的电位分布的紊乱的电光装置、具备该电光装置的投射型显示装置及电子设备。为了解决上述课题，本专利技术所涉及的电光装置具备：基板；设置于该基板的一面侧的透光性的像素电极；以及存储电容，其设置于该像素电极与前述基板之间，层叠有与前述像素电极分别俯视重叠的透光性的第1电极层、电连接于前述像素电极的透光性的第2电极层以及介于前述第1电极层与前述第2电极层之间的透光性的电介质层。在本专利技术中，由于通过透光性的第1电极层、透光性的电介质层及透光性的第2电极层构成存储电容，所以即使扩展存储电容的形成区域而实现存储电容的电容值的增大，也不会妨碍显示光的出射光量。此外，在本专利技术中，由于使用与像素电极不同的2个透光性电极(第1电极层及第2电极层)，所以能够在存储电容与像素电极之间设置透光性的层间绝缘膜。因而，即使在相邻的像素电极之间(像素间区域)的俯视重叠的区域存在第1电极层的情况下，也由于在第1电极层与像素电极的层间至少介有层间绝缘膜，所以具有在像素电极的端部与第1电极层之间难以产生多余的电场的优点。在本专利技术中，能够采用下述结构：前述第1电极层在与相互相邻的前述像素电极之间重叠的区域具有开口部；在俯视与前述开口部重叠的区域，设置有将前述像素电极与前述第2电极层相互电连接的第1中继电极。根据这样的结构，在遍及宽广的范围形成第1电极层的情况下，也可以实现对于像素电极的电连接。此外，由于利用在与相互相邻的像素电极之间重叠的区域形成的开口部，所以无需大幅缩窄可以出射显示光的区域，便可以实现对于像素电极的电连接。在本专利技术中，能够采用下述结构：前述第1中继电极具有在与前述相互相邻的像素电极之间俯视重叠的区域在第1方向延伸的延伸部和从该延伸部向与前述第1方向交叉的第2方向弯曲的弯曲部；用于将前述第1中继电极与前述第2电极层电连接的第1接触孔设置于与前述延伸部重叠的区域；用于将前述第1中继电极与前述像素电极电连接的第2接触孔设置于与前述弯曲部重叠的区域。根据这样的结构，由于利用在与相互相邻的像素电极之间重叠的区域形成的第1中继电极，所以无需大幅缩窄可以出射显示光的区域，便可以实现对于像素电极的电连接。在本专利技术中，能够采用下述结构：具备与前述像素电极对应地设置的晶体管以及将前述晶体管与前述第1中继电极电连接的第2中继电极；其中，前述第2中继电极俯视配置为与前述晶体管重叠，并且配置为在与前述相互相邻的像素电极之间重叠的区域在第1方向延伸；前述第1中继电极俯视具有在与前述相互相邻的像素电极之间重叠的区域在前述第1方向延伸并与前述第2中继电极俯视重叠的重叠部和在与前述相互相邻的像素电极之间俯视重叠的区域从前述第2中继电极的端部向前述第1方向突出的突出部；前述第2电极层与前述重叠部经由第1接触孔电连接；前述像素电极与前述突出部经由第2接触孔电连接。根据这样的结构，由于利用在与相互相邻的像素电极之间重叠的区域形成的第1中继电极及第2中继电极，所以无需大幅缩窄可以出射显示光的区域，便可以实现对于像素电极的电连接。在本专利技术中，优选前述第1电极层相对于前述电介质层设置于前述基板侧；前述第2电极层相对于前述电介质层设置于前述像素电极侧。根据这样的结构，在第1电极层与像素电极的层间介有层间绝缘膜及电介质层。因此，能够防止在像素电极的端部与第1电极层之间产生多余的电场。此外，相对于第1电极层，被施加像素电位的像素电极及第2电极层仅存在于一侧，相对于第1电极层，在基板侧不存在像素电极及第2电极层。因此，由于在像素电极及第2电极层与数据线等之间不会寄生多余的电容，所以不会产生驱动损耗。因此，能够实现低功耗化。在本专利技术中，也可以采用下述结构：前述第1电极层相对于前述电介质层设置于前述像素电极侧；前述第2电极层相对于前述电介质层设置于前述基板侧。在这样的结构的情况下，也由于能够使层间绝缘膜介于第1电极层与像素电极之间，所以能够防止在像素电极的端部与第1电极层之间产生多余的电场的情况。在本专利技术中，优选设置于前述存储电容与前述像素电极之间的层间绝缘膜的表面为平坦面。根据这样的结构，在与相邻的第2电极层之间重叠的区域，层间绝缘膜的厚度相比较于与第2电极层重叠的区域，厚第2电极层的厚度量。因此，具有在第1电极层与像素电极之间难以产生多余的电场的优点。在本专利技术中，若应用于前述第1电极层设置于排列有多个前述像素电极的像素排列区域的整面的情况，则是有效的。在本专利技术中，由于难以在第1电极层与像素电极之间产生多余的电场，所以即使在遍及宽广的范围形成第1电极层、结果在相邻的像素电极之间(像素间区域)第1电极层所位于的面积扩展的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其特征在于，具备：基板；设置于该基板的一面侧的透光性的像素电极；以及存储电容，其设置于该像素电极与前述基板之间，层叠有与前述像素电极分别俯视重叠的透光性的第1电极层、电连接于前述像素电极的透光性的第2电极层以及介于前述第1电极层与前述第2电极层之间的透光性的电介质层。

【技术特征摘要】
2011.04.01 JP 081642/20111.一种电光装置，其特征在于，具备：基板；像素电极；以及存储电容，其配置于前述像素电极与前述基板之间，前述存储电容包括第1电极、被施加前述像素电极的电位的第2电极以及配置于前述第1电极与前述第2电极之间的电介质层，与前述存储电容相接地设置有层间绝缘膜，与前述层间绝缘膜相接地在与前述存储电容相反的一侧设置前述像素电极，前述像素电极、前述第1电极、前述第2电极以及前述电介质层使光透射，在从前述像素电极侧看前述基板侧时，前述第1电极不与前述第2电极和前述像素电极重叠的部分处的前述层间绝缘膜的厚度比前述第1电极与前述第2电极和前述像素电极重叠的部分处的前述层间绝缘膜的厚度厚。2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：在从前述像素电极侧看前述基板侧时，前述第1电极在前述像素电极和与前述像素电极相邻的相邻像素电极之间，具有开口；在与前述开口重叠的区域，配置有将前述像素电极与前述第2电极电连接的第1中继电极。3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于：在从前述像素电极侧看前述基板侧时，前述第1中继电极具有：在前述像素电极和前述相邻像素电极之间的区域在第1方向延伸的第1部分和从前述第1部分向与前述第1方向交叉的第2方向延伸的第2部分；用于将前述第1中继电极与前述第2电极电连接的第1接触孔配置于与前述第1部分重叠的区域；用于将前述第1中继电极与前述像素电极电连接的第2接触孔配置于与前述第2部分重叠的区域。4.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，还包括：电连接于前述像素电极的晶体管；以及将前述晶体管与前述第1中继电极电连接的第2中继电极；在从前述像素电极侧看前述基板侧时，前述第2中继电极配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤智，立野善丈，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：