一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括具有段差部的像素电极，所述像素电极位于段差部两侧的部分由导电层通过过孔连通，所述导电层与所述像素电极位于不同的层。本发明专利技术能够避免由于像素电极的断层引起的像素电极层信号的割断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示>J-U装直。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。其中，高级超维场转换技术(ADvanced SuperDimension Switch,简称ADS),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。ADS型阵列基板一般采用六次构图工艺制作完成，包括通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线，通过第二次构图工艺形成像素电极，通过第三次构图工艺形成有源层，通过第四次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线，通过第五次构图工艺形成钝化层上的过孔，通过第六次构图工艺形成公共电极。图I为现有按照六次构图工艺形成的阵列基板的像素区域的截面图。参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括，具有段差部的像素电极，其特征在于：所述像素电极位于段差部两侧的部分由导电层通过过孔连通，所述导电层与所述像素电极位于不同的层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董向丹，玄明花，高永益，黄炜赟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：