一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，属于液晶显示领域。所述阵列基板包括具有段差部的像素电极，所述像素电极位于段差部两侧的部分由导电层通过过孔连通，所述导电层与所述像素电极位于不同的层。本发明专利技术能够避免由于像素电极的断层引起的像素电极层信号的割断。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示>J-U装直。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-IXD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。其中，高级超维场转换技术(ADvanced SuperDimension Switch,简称ADS),通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。ADS型阵列基板一般采用六次构图工艺制作完成，包括通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线，通过第二次构图工艺形成像素电极，通过第三次构图工艺形成有源层，通过第四次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线，通过第五次构图工艺形成钝化层上的过孔，通过第六次构图工艺形成公共电极。图I为现有按照六次构图工艺形成的阵列基板的像素区域的截面图。参照图1，所述阵列基板包括基板I ;位于所述基板I上的栅电极和栅线(图中未示出)；位于形成有所述栅电极和栅线的基板I上的栅绝缘层3 ;位于所述栅绝缘层3上的像素电极6 ;位于形成有像素电极6的基板I上的有源层4 ;位于所述有源层4上的源电极(图中未示出)、漏电极5和数据线(图中未示出);位于形成有所述源电极、漏电极5和数据线的基板I上的钝化层7 ;位于所述钝化层7上的公共电极81。从图I中可以看出，在此种结构的阵列基板中，由于像素电极6与漏电极5直接相连，从而不存在断层等不良现象。为了节省成本，还可以将ADS型阵列基板的制作缩减到通过五次构图工艺完成，包括通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线，通过第二次构图工艺形成有源层、源电极、漏电极和数据线，通过第三次构图工艺形成像素电极，通过第四次构图工艺形成钝化层上的过孔，通过第五次构图工艺形成公共电极。图2为现有按照五次构图工艺形成的阵列基板的像素区域的截面图。参照图2，所述阵列基板包括基板I ;位于所述基板I上的栅电极和栅线(图中未示出)；位于形成有所述栅电极和栅线的基板I上的栅绝缘层3 ;位于所述栅绝缘层3上的有源层4 ;位于所述有源层4上的源电极(图中未示出)、漏电极5和数据线(图中未示出);位于形成有所述源电极、漏电极5和数据线的基板I上的像素电极6 ;位于形成有所述像素电极6的基板上的钝化层7 ;位于所述钝化层7上的公共电极81。从图2中可以看出，在此种结构的阵列基板中，像素区域内的像素电极6具有一段差部10，由于段差过大和坡度角(Profile)过陡，存在严重的像素电极断层(disconnect)不良现象，而像素电极6的断层会引起异常显示。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，以避免由于像素电极的断层引起的像素电极层信号的割断。为解决上述技术问题，本专利技术提供技术方案如下 一种阵列基板，包括，具有段差部的像素电极，所述像素电极位于段差部两侧的部分由导电层通过过孔连通，所述导电层与所述像素电极位于不同的层。 上述的阵列基板，其中，还包括由透明导电层形成的公共电极和连接部，所述连接部与所述公共电极断开；形成在像素电极所在的层与公共电极所在的层之间的钝化层，所述钝化层上形成有过孔，所述像素电极位于段差部两侧的部分由所述连接部通过所述钝化层上的过孔连通。上述的阵列基板具体包括基板；位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极和栅线；位于形成有所述栅电极和栅线的基板上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的源电极、漏电极和数据线；位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的具有段差部的像素电极，所述像素电极与所述漏电极相连接；位于形成有所述像素电极的基板上的钝化层，所述钝化层上形成有过孔；位于所述钝化层上的由透明导电层形成的公共电极和连接部，所述连接部与所述公共电极断开，所述像素电极位于段差部两侧的部分由所述连接部通过钝化层上的过孔连通。上述的阵列基板，其中所述钝化层上的过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述段差部的一侧，所述第二过孔位于所述段差部的另一侧。上述的阵列基板，其中所述钝化层上的过孔跨越所述段差部。上述的阵列基板，其中，还包括由透明导电层形成的公共电极和第一连接部，所述第一连接部与所述公共电极断开；形成在像素电极所在的层与公共电极所在的层之间的钝化层，所述钝化层上形成有过孔；由栅金属层形成的栅电极、栅线和第二连接部，所述第二连接部与栅电极和栅线断开；形成在栅金属层与像素电极所在的层之间的栅绝缘层，所栅绝缘层上形成有过孔；其中，所述像素电极位于段差部两侧的部分由所述第一连接部和第二连接部通过钝化层和栅绝缘层上的过孔连通。上述的阵列基板具体包括基板；位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极、栅线和第二连接部，所述第二连接部与栅电极和栅线断开；位于形成有所述栅电极、栅线和第二连接部的基板上的栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成有过孔；位于所述栅绝缘层上的有源层；位于所述有源层上的源电极、漏电极和数据线； 位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的具有段差部的像素电极，所述像素电极与所述漏电极相连接；位于形成有所述像素电极的基板上的钝化层，所述钝化层上形成有过孔；位于所述钝化层上的由透明导电层形成的公共电极和第一连接部，所述第一连接部与所述公共电极断开，所述像素电极位于段差部两侧的部分由所述第一连接部和第二连接部通过钝化层和栅绝缘层上的过孔连通。一种阵列基板的制造方法，包括在基板上形成栅电极和栅线；在形成有栅电极和栅线的基板上形成栅绝缘层；在形成有栅绝缘层的基板上形成有源层、源电极、漏电极和数据线；在形成有有源层、源电极、漏电极和数据线的基板上形成像素电极，所述像素电极具有一段差部；在形成有像素电极的基板上形成钝化层，并在钝化层上形成过孔；在形成有钝化层的基板上形成公共电极和连接部，所述连接部和所述公共电极断开，所述连接部通过过孔连通所述像素电极位于段差部两侧的部分。上述的制造方法，其中，所述在形成有栅绝缘层的基板上形成有源层、源电极、漏电极和数据线，包括在形成有栅绝缘层的基板上依次形成半导体材料层和源漏金属层；在源漏金属层上形成光刻胶层；采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶层进行曝光和显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区域；刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属层和半导体材料层；通过灰化工艺去除光刻胶部分保留区域的光刻胶；刻蚀掉光刻胶部分保留区域的源漏金属层；剥离剩余的光刻胶。上述的制造方法，其中所述在钝化层上形成过孔包括，在所述钝化层上形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔位于所述段差部的一侧，所述第二过孔位于所述段差部的另一侧。上述的制造方法，其中所述钝化层上的过孔跨越所述段差部。一种阵列基板的制造方法，包括在基板上形成栅电极、栅线和第二连接部，所述第二连接部与栅电极和栅线断开；在形成有栅电极、栅线和第二连接部的基板上形成栅绝缘层，并在栅绝缘层上形成过孔； 在形成有栅绝缘层的基板上形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括，具有段差部的像素电极，其特征在于：所述像素电极位于段差部两侧的部分由导电层通过过孔连通，所述导电层与所述像素电极位于不同的层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：董向丹，玄明花，高永益，黄炜赟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：