具有增强锚的微结构制造技术

技术编号:7266833 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-15 03:00
本发明专利技术提供了具有增强锚和窄气隙的微结构器件。本文提供的微结构器件的一个实施例包括分层晶片。分层晶片包括硅基板层、形成在基板层上的埋入氧化物层以及形成在埋入氧化物层上的硅器件层。在器件层上形成顶部氧化物层。顶部氧化物层、器件层和埋入氧化物层被蚀刻,从而形成沟槽以在器件层中创建锚和微结构器件。在制造器件的工艺中,沿着微结构器件的侧面形成热氧化物层,以在埋入氧化物层、顶部氧化物层和热氧化物层中包围微结构器件。然后,形成多晶硅层以填充到沟槽中并包围锚。在多晶硅层填充到沟槽中之后,蚀刻掉包围微结构器件的氧化物层,释放微结构器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:林宗贤朱家骅郑钧文
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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