晶圆级封装制造技术

技术编号:7248548 阅读:221 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种晶圆级封装的方法包括:提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板,以及蚀刻基板,以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件,MEMS谐振器元件被包围在埋氧层,顶部氧化层,以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括:使用多晶硅填充开口,以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极,移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层,将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合,移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层,以及将基板与盖晶圆接合,以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑钧文林宗贤朱家骅
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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