用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法制造技术

技术编号:7340678 阅读:266 留言:0更新日期:2012-05-16 21:53
本发明专利技术公开一种形成集成电路的方法,包括提供晶片以及粘附在晶片上的胶带,其中胶带具有垂直于第一方向的主表面。使用光线对胶带进行曝光以使其失去粘附力。在对胶带进行曝光的步骤中,旋转晶片和胶带,和/或使光线倾斜地投射到胶带上,其中光线的主投射方向和第一方向之间形成大于0°并小于90°的倾斜角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装工艺,更具体地说,涉及一种用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法
技术介绍
为了封装工艺,有时会把半导体晶片和芯片做的很薄。为了使半导体晶片变薄,在半导体晶片前侧粘附有紫外线(UV)胶带。然后对半导体晶片的背面进行背面研磨,直到该半导体晶片的厚度达到预期值。在研磨背面之后,使用UV光对UV胶带进行UV曝光,以便从半导体晶片上去除UV胶带。在传统的UV曝光工艺中,UV灯设置在平台上,并且UV光线向上投射。UV灯可以是条状的。半导体晶片设置在UV灯上方,并且在开始时其所在的位置不会受到UV曝光。然后半导体晶片在UV灯的正上方移动,以便对UV胶带(其面对着UV灯)进行UV曝光。移动方向垂直于UV灯的纵向。使半导体晶片继续向前移动,直到其不再位于UV灯的正上方。 在移动期间,整个半导体晶片都受到UV光线的照射。UV曝光之后,从半导体晶片上去除了 UV胶带。在UV曝光的可选方式中,将UV灯面朝上设置,并且将半导体晶片设置在UV灯的正上方,并且UV胶带面向UV灯。使UV胶带处于UV照射下达到一定时间。在曝光时,不移动半导体晶片。UV曝光后,半导体晶片从半导体晶片正上方去除,并且UV胶带从半导体晶片上去除。在传统的去除胶带的工艺中,会有部分UV胶带没有受到充足的UV曝光。结果是, 会有部分UV残留物残留在半导体晶片上。例如,半导体晶片边缘的部分UV胶带经常会得不到充分的曝光。进一步地,在半导体晶片表面会形成球栅阵列(BGA)球,并且BGA球会与 UV胶带接触。BGA球不具有垂直侧边,并且部分BGA球会阻挡UV光线投射到部分UV胶带上。结果是,部分被阻挡了 UV光线的UV胶带没有被UV光线充分曝光。这会在去除UV胶带之后使得仍有UV胶带残留在半导体晶片上。这些残留的UV胶带会导致随后封装工艺中的产量损失。
技术实现思路
这些和其他问题通过提供用于减少去除胶带工艺中残留的UV曝光法的本专利技术的示意性实施例来整体解决或克服,并且整体上实现技术优点。根据本专利技术的一个方面,提供一种方法,该方法包括提供晶片以及粘附在所述晶片上的胶带,其中所述胶带包括垂直于第一方向的主表面;以及利用光线对所述胶带进行曝光以使所述胶带失去粘附力,其中曝光所述胶带的步骤包括选自以下组的步骤,所述组基本上包括旋转所述晶片和所述胶带;使所述光线倾斜地投射到所述胶带上,其中所述光线的主投射方向和所述第一方向形成大于0°且小于90°的倾斜角;以及其组合。优选地,所述胶带是紫外线(UV)胶带,并且其中所述光线是UV光线。优选地,所述胶带进行曝光的步骤包括当所述光线对所述胶带进行曝光时,旋转所述晶片和所述胶带。优选地,所述对所述胶带进行曝光的步骤包括使所述光线倾斜地投射到所述胶带上,并且所述倾斜角小于约45°。根据本专利技术的另一方面,提供一种方法,该方法包括将晶片固定在载物台上,其中将紫外线(UV)胶带粘附在所述晶片上;使所述晶片和所述胶带沿轴线旋转;以及当所述晶片和所述胶带旋转时,利用UV光线对所述UV胶带进行曝光,其中所述UV光线的主投射方向和所述轴线之间形成大于0°并小于约45°的倾斜角。优选地,所述对所述UV胶带进行曝光的步骤包括将所述晶片和所述UV胶带设置在所述UV光线的一边,并且所述UV胶带未被所述UV光线曝光;移动所述晶片和所述UV胶带以使所述UV光线对所述UV胶带进行曝光;以及移动所述晶片和所述UV胶带直到所述UV 光线不对所述UV胶带进行曝光。优选地,所述载物台与传送臂连接,并且其中在对所述胶带进行曝光步骤中,所述传送臂沿移动导向件移动。优选地,所述晶片和所述胶带的移动方向与所述UV胶带的主表面之间形成所述倾斜角。优选地,所述UV光线的主投射方向垂直于所述晶片的移动方向。优选地,所述晶片的移动方向平行于所述UV胶带的主表面,并且其中所述UV光线的主投射方向与所述轴线之间形成所述倾斜角。优选地,在对所述UV胶带进行曝光的步骤中,所述晶片和所述UV胶带未进行水平移动。根据本专利技术的又一方面,提供一种用于将粘附在晶片上的紫外线(UV)胶带进行曝光的装置,所述装置包括载物台,所述晶片安装在所述载物台上,其中所述载物台包括垂直于第一方向的主表面;以及UV灯,所述UV灯设置成沿主UV光线方向发出UV光线,其中所述装置设置成旋转所述载物台,或者所述主UV光线方向和所述第一方向形成大于0° 且小于90°的倾斜角。优选地,所述装置进一步包括与所述载物台连接的传送臂,其中所述传送臂设置成旋转所述载物台。优选地,所述装置进一步包括移动导向件,并且所述传送臂设置成沿所述移动导向件移动,并从所述光线的一边移动至相对边。优选地,所述传送臂进一步设置成,在所述传送臂沿所述移动导向件移动的时候旋转所述载物台。优选地,所述传送臂设置成沿第二方向移动,并且其中所述第二方向和所述载物台的主表面之间形成所述倾斜角。优选地,所述传送臂设置成沿平行于所述载物台的主表面的第二方向移动,并且其中所述主UV光线方向和所述第一方向之间形成所述倾斜角。优选地,所述装置进一步包括与所述载物台连接的电机驱动控制器,并且所述电机驱动控制器设置成控制所述载物台的旋转。优选地,所述倾斜角小于约45 °。附图说明为了更彻底的理解实施例及其优点,现结合附图做出以下描述以供参考,其中图1至图3是根据一个实施例的对紫外线(UV)胶带进行曝光的中间阶段的横截面图,其中在UV曝光期间,UV胶带旋转并移动;图4描述了图1至图3所示过程的俯视图;图5至图6分别示出了根据可选实施例的UV曝光的横截面图和俯视图,其中UV 曝光期间,UV胶带旋转但不向前移动;图7是UV光线从不同角度投射到UV胶带上的示意图;图8至图10是根据可选实施例的对UV胶带进行曝光的中间阶段的横截面图,其中在UV曝光期间,UV胶带旋转并且移动,并且其中UV光线是倾斜的;图11是图8至图10所示过程的俯视图;以及图12和图13是根据可选实施例的对UV胶带进行曝光的中间阶段的横截面图,其中在UV曝光期间,UV胶带旋转并且不向前移动,并且其中UV光线是倾斜的。具体实施例方式下面详细讨论本公开实施例的制造和使用。不过,应该意识到的是,这些实施例提供了可以在多种特定环境下具体化的多种可应用专利技术思想。所讨论的具体实施例仅仅用于描述,而不是限定本公开的范围。根据一个实施例,提出了一种对半导体晶片上的胶带进行曝光的新方法。这里讨论了该实施例的不同变型。在所有的视图和描述的实施例中,同样的参考标记表示相同的元件。在整个描述中,以对紫外线(UV)胶带(其受到UV光线的照射)的去除作为示例。不过,本公开的教导也可用于受到不同类型光线曝光的其他类型的胶带。图1至图4描述了根据一个实施例的对胶带的曝光过程。参见图1,描述了曝光装置的横截面图。曝光装置包括UV灯模组20和UV灯模组20中的UV灯22。UV灯22进一步包括用于发出UV光线的UV光源24,以及用于反射UV光线的反射器26。反射器沈可以是光滑的弯曲表面,以便使反射的UV光线观基本沿向上的方向,只有少量UV光线(如果有的话)的方向不是沿向上的方向。在整个描述中,将UV光线投射朝向的主方向称为主 UV光线方向。在图1所示的示例中,主UV光线方向垂直向上。UV灯22的形状可以是条状 (参见图4),并本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:胡毓祥卢祯发刘重希
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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