具有减小的RF损耗的射频封装制造技术

一种器件，包括：中介层和射频(RF)器件，射频(RF)器件接合到中介层的第一侧。中介层包括第一侧和第二侧，第二侧相对于第一侧。中介层中没有形成中介层通孔。第一无源器件形成在中介层的第一侧上，并且电连接到RF器件。第二无源器件形成在中介层的第二侧上。第一无源器件和第二无源器件配置为在第一无源器件和第二无源器件之间无线传输信号。本发明专利技术还提供了一种具有减小的RF损耗的射频封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信领域，更具体地，本专利技术涉及一种射频封装方法及装置。技术背景射频(RF)器件广泛用于通信系统。运行在高频率(比如，在GHz频率范围内)的各种RF器件需要与其他器件相结合形成系统。因此，需要将RF器件封装在封装结构中。有许多类型的传统封装结构可以用于封装RF器件。在第一封装结构中，RF器件形成在器件管芯中，该器件管芯堆叠在封装基板上。封装基板进一步通过倒装接合法接合到印刷电路板(PCB)。接合线用于将直流(DC)电源提供到器件管芯，并且用于在器件管芯和封装基板之间传输RF信号。RF信号进一步通过封装通孔传输到PCB，该封装通孔形成在封装基板中。在这些封装结构中，通常，接合线相比于RF信号的波长而言非常长，接合线上的RF损耗非常大。而且，接合线的形成会导致静电放电(ESD)，静电放电(ESD)会损坏RF 器件。器件管芯和封装基板还可能存在热膨胀系数(CTE)的高失配，从而可能会在器件管芯中产生高应力。在另一种传统基板中，RF器件形成在器件管芯中，其中，器件管芯通过倒装封装接合到中介层。中介层堆叠在封装基板上。封装基板进一步通过倒装接合法接合到PCB。接合线用于将中介层接合到封装基板。接合线用于将DC电源通过中介层提供到器件管芯，并且用于在器件管芯和封装基板之间传输RF信号。RF信号进一步通过形成在封装基板中的封装通孔传输到PCB。此外，在这些封装结构中，接合线相比于RF信号的波长而言较长，并且接合线上的RF损耗较大。而且，封装线的形成还会导致ESD，ESD会损坏RF器件。
技术实现思路
为了解决现有技术所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种一种器件， 包括中介层，所述中介层包括第一侧和第二侧，所述第二侧相对于所述第一侧，其中，所述中介层中不包括中介层通孔；第一无源器件，位于所述中介层的所述第一侧上；以及第二无源器件，位于所述中介层的所述第二侧上，其中，所述第一无源器件和所述第二无源器件配置为在所述第一无源器件和所述第二无源器件之间无线传输信号；以及射频(RF)器件，接合到所述中介层的所述第一侧，并且电连接到所述第一无源器件。在该器件中，所述中介层进一步包括第一基板、第二基板、以及粘合剂层，所述粘合剂层将所述第一基板接合到所述第二基板，其中，所述第一无源器件和所述粘合剂层位于所述第一基板的相对侧，所述第二无源器件和所述粘合剂层位于所述第二基板的相对侧；或者其中，所述RF器件选自基本上由低噪声放大器(LNA)、混频器、振荡器、功率放大器、以及上述的组合所构成的组。在该器件中，所述第一无源器件和所述第二无源器件包括无线信号传输器件，所述无线信号传输器件选自基本上由电容器和变压器构成的组，所述电容器极板是所述第二无源器件的一部分，并且所述变压器包括第一电感器和第二电感器， 所述第一电感器是所述第一无源器件的一部分，所述第二电感器是所述第二无源器件的一部分，所述无线信号传输器件包括电容器，或者所述无线信号传输器件包括变压器。该器件进一步包括封装基板，接合到所述中介层的所述第二侧；以及印刷电路板(PCB)，接合到所述封装基板，其中，所述中介层和所述PCB位于所述封装基板的相对侧上。该器件进一步包括接合线，接合到所述中介层的所述第一侧以及所述封装基板； 或者其中，没有接合线接合到所述封装基板上，并且没有接合线被配置为传输连接到RF器件的RF信号。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种器件，包括第一中介层，包括第一侧和第二侧，所述第二侧相对于所述第一侧；第一无源器件，位于所述第一中介层的所述第一侧， 并且是所述第一中介侧的一部分；第二中介层，包括第一侧和第二侧，所述第二侧相对于所述第一侧，其中，所述第一中介层的第二侧面向并且接合到所述第二中介层的第二侧，其中，在所述第一中介层和所述第二中介层中没有设置金属部件；第二无源器件，位于所述第二中介层的所述第一侧上，并且是所述第二中介层的一部分；射频(RF)器件，接合到所述第一中介层的所述第一侧；以及封装基板，通过倒装接合法接合到所述第二中介层的所述第一侧，其中，所述RF器件以信号的方式连接到所述封装基板。在该器件中，所述第一中介层包括第一基板，所述第二中介层包括第二基板，并且，所述器件进一步包括粘合剂层，位于所述第一基板和所述第二基板之间，并且粘合到所述第一基板和所述第二基板12.根据权利要求11所述的器件，其中，在所述第一基板和所述第二基板中没有形成中介层通孔；或者该器件进一步包括接合线，将所述第一中介层的第一侧接合到所述封装基板，其中，没有接合线接合到所述封装基板，并且没有接合线被配置为在所述封装基板和所述第一中介层的所述第一侧之间传输RF信号。该器件进一步包括RF信号传输器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一无源器件的一部分，所述第二部分是所述第二无源器件的一部分，其中，所述RF 信号传输器件配置为在所述第一部分和所述第二部分之间传输RF信号，其中，所述RF信号传输器件是电容器，并且，所述第一部分是所述电容器的第一电容器极板，所述第二部分是所述电容器的第二电容器极板；或者所述RF信号传输器件是变压器，并且，所述第一部分是所述变压器的第一电感器，所述第二部分是所述变压器的第二电感器。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种器件，包括中介层，所述中介层包括基板；第一无源器件，位于所述基板的所述第一侧上；以及第二无源器件，位于所述基板的所述第二侧上，所述第二侧相对于所述第一侧，其中，在所述基板中没有形成金属部件，并且没有金属部件将所述第一无源器件连接到所述第二无源器件；射频(RF)器件管芯，接合到所述中介层的所述第一侧；封装基板，接合到所述中介层的所述第二侧；接合线，接合到所述封装基板，并且电连接到所述RF器件管芯，其中，所述RF器件管芯配置为通过所述接合线连接到DC电源，并且没有接合线接合到所述封装基板或者所述中介层，或者没有接合线被配置为传输射频信号；以及印刷电路板(PCB)，通过焊球接合到所述封装基板。该器件进一步包括RF信号传输器件，包括第一部分和第二部分，所述第一部分是所述第一无源器件的一部分，所述第二部分是所述第二无源器件的一部分，其中，所述RF 信号传输器件配置为在所述第一部分和所述第二部分之间传输RF信号，其中，所述射频信号传输器件是电容器，并且，所述第一部分是所述电容器的第一电容器极板，所述第二部分是所述电容器的第二电容器极板；或者所述射频信号传输器件是变压器，并且，所述第一部分是所述变压器的第一电感器，所述第二部分是所述变压器的第二电感器。附图说明为了全面理解本专利技术及其优点，现在将结合附图所进行的以下描述作为参考，其中图1示出了根据实施例的封装结构的横截面图，其中，两个中介层粘合在一起，无源器件形成在每个中介层的一侧上；图2示出了根据各个其他实施例的封装结构的横截面图，其中，多个射频(RF)器件接合到两个中介层之一；以及图3示出了根据其他实施例的封装结构的横截面图，其中，无源器件形成在中介层的相对侧上。具体实施方式下面，详细讨论本专利技术各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本专利技术提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本专利技术的具体方式，而不用于限制本专利技术的范围。根据实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊德，陈美秀，叶子祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：