【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体涉及半导体电路领域，更具体地，涉及带有多个保持器的存储电路。
技术介绍
存储电路用于各种用途。通常，存储电路可以包括动态随机存取存储器(DRAM)电路、静态随机存取存储器(SRAM)电路、非易失性存储器电路。SRAM电路包括多个存储单元。对于传统的其中形成有存储单元阵列的6-T SRAM电路来说，每个存储单元都具有六个晶体管。6-T SRAM存储单元与位线BL、位线条BLB、和字线WL相连接。六个晶体管中的四个形成了两个交叉耦合的反相器，用于存储代表“O”或者“I”的数据。剩下的两个晶体管用作存取晶体管，对存储在存储单元中的数据的访问进行控制。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种存储电路，包括多个第一存储阵列，以列的方式进行布置；多个第一保持器，每个第一保持器都与多个第一存储阵列中对应的一个相电连接；第一限流器，与多个第一保持器相电连接，并且多个第一保持器共享第一限流器；以及多个第一扇面开关，每个第一扇面开关都电连接到第一限流器和多个第一保持器中相应的一个之间。其中，多个第一存储阵列中的每个都包括至少一个存储单元，至少一个存储单元包括读...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝丽娇，陶昌雄，金荣爽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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