用于存储器的跟踪方案制造技术

本发明专利技术公开了一种用于存储器的跟踪方案，其中公开了具有用于读取跟踪操作的跟踪电路的存储器，该存储器包括存储器位单元阵列、跟踪列、跟踪行，与存储器位单元阵列和跟踪行连接的读出放大器行和读出放大器启动逻辑。该存储器进一步包括与跟踪列和读出放大器启动逻辑连接的跟踪位线、以及与跟踪行和读出放大器行连接的跟踪字线。该跟踪电路被配置为在沿着跟踪行跟踪行时间延迟之前沿着跟踪列跟踪列时间延迟。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及集成电路，并且大体上更多地涉及存储器。
技术介绍
存储器中的传统跟踪方案，例如静态随机存储器(SRAM)具有位于存储器位单元阵列底部的跟踪(参考)行和列。在读取跟踪操作中，该跟踪方案沿着存储器阵列的宽(也就是沿着字线的长)、而无需沿着存储器阵列的高(也就是沿着位线的长)跟踪时间延迟。 由于这种跟踪方案，当为了新的操作(例如，接收用于在存储器中存取的新地址)而通过跟踪位线复位输入锁存时钟时，该读取跟踪操作可以仍然在进行中且并未完成。该时间延迟边缘的问题将引起跟踪功能故障。在专利技术者已知的方案中，当读出放大器启动(SAE)信号被触发时,驱使该信号从实例中心(instance center)到达存储器阵列边缘。因此，边缘读出放大器需要更多时间来读取数据。因此，在读取跟踪操作中存在额外的时间延迟。
技术实现思路
考虑到上述问题，本专利技术提出一种具有用于读取跟踪操作的跟踪电路的存储器，包括存储器位单元阵列；跟踪列；跟踪行；读出放大器行，与存储器位单元阵列和跟踪行连接；读出放大器启动逻辑；跟踪位线，与跟踪列和读出放大器启动逻辑连接；以及，与跟踪行和读出放大器启动逻辑连接的跟踪位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，陶昌雄，郑东植，金英奭，许国原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：