【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域,更具体地,本专利技术涉及一种基于热和应力条件的动态测试。
技术介绍
集成电路形成在晶圆上并且被切割成管芯。管芯可以在使用前被封装成封装件结构。为了确保集成电路的可靠性和性能符合指标,需要测试管芯和/或相应的经过封装的管芯。、集成电路的指标通常指定温度和对应于温度的要求。通常,指定的温度可以包括例如-40°C,25°C,和105°C。在这些温度下实施的测试的合格/不合格标准是不同的。由于在同一封装件中的堆叠的管芯通常处于不同的温度,因此,这会给对于堆叠的管芯的测试带来问题。通常,有两种方法测试堆叠的管芯。在第一种方法中,将探针卡盘用于加热包括堆叠管芯的封装件。底部管芯接触探针卡盘,因此,该底部管芯可以保持在探针卡盘所设定的温度。因此,可以在指标规定的温度下(例如,105°C)对底部管芯进行测试。然而,由于热耗散和在上部管芯运行过程中产生的热,上部管芯的温度可能不同于探针卡盘的温度,其中上部管芯的温度是未知的。因此,从上部管芯获得的电路參数并非是在规定温度下所获得的。在第二种方法中,每个管芯,尤其是不与探针卡盘接触的管芯,都包括用于测量温度的嵌入式传感器。因此,在测量每个覆盖底部管芯的管芯之前,使用相应传感器来測量相应的上部管芯的温度。測量出的温度用于根据指标调整管芯的温度。例如,如果测量出顶部管芯的温度是85°C,而指标要求相应测试温度是90°C,则升高探针卡盘的温度(可以是例如105°C ),从而将上部管芯的温度升高,直到顶部管芯的温度达到90°C。测试每个上部管芯的均热时间可以高达5分钟,例如,该均热温度可以比器件测试时间长得 ...
【技术保护点】
一种方法包括:建立堆叠封装件中第一管芯的多组测试条件,其中,所述多组测试条件是所述第一管芯的温度的函数,并且其中,所述堆叠封装件包括多个堆叠的管芯;测量所述第一管芯的第一温度;从所述多组测试条件中找出所述第一管芯的相应的测试条件组,其中,所述测试条件组对应于所述第一温度;以及在所述第一温度下使用所述测试条件组测试所述第一管芯,从而生成测试结果。
【技术特征摘要】
2011.04.08 US 13/082,7691.一种方法包括 建立堆叠封装件中第一管芯的多组测试条件,其中,所述多组测试条件是所述第一管芯的温度的函数,并且其中,所述堆叠封装件包括多个堆叠的管芯; 测量所述第一管芯的第一温度; 从所述多组测试条件中找出所述第一管芯的相应的测试条件组,其中,所述测试条件组对应于所述第一温度;以及 在所述第一温度下使用所述测试条件组测试所述第一管芯,从而生成测试结果。2.根据权利要求I所述的方法,进一步包括 建立所述第一管芯的动态合格/不合格指标,其中,所述动态合格/不合格指标是所述第一管芯的温度的函数; 从所述动态合格/不合格指标中找出所述第一管芯的合格/不合格标准,其中所述合格/不合格标准对应于所述第一温度;以及 将所述测试结果和所述合格/不合格标准比较,从而确定所述第一管芯的合格/不合格状态,或者 所述第一管芯的所述动态合格/不合格指标是所述第一管芯的应力的函数,并且其中,所述方法进一步包括 在所述第一温度下测量所述第一管芯的应力,其中,所述第一管芯的所述合格/不合格标准进一步对应于所述第一管芯的所述应力,或者 进一步包括在测量所述第一管芯的温度和测试所述第一管芯的步骤之前,测试所述堆叠封装件中的第二管芯,其中,在测试所述第二管芯的步骤和测量所述第一温度的步骤之间,所述第一管芯的温度不变,或者 建立所述第一管芯的多组测试条件的步骤包括建立包括多个温度范围的查找表,每个所述温度范围都对应于多组测试条件之一, 所述查找表进一步包括互不相同的多个动态指标,其中,每个所述动态指标都对应于所述多个温度范围之一,并且其中,所述多个动态指标选自基本上由电流指标、电压指标、频率指标、能耗指标、DC参数指标、及其组合组成的组。3.根据权利要求I所述的方法,其中,所述堆叠封装件还包括第二管芯,并且其中,所述多组测试条件是所述第一管芯和所述第二管芯的温度的函数, 进一步包括 建立所述第一管芯和所述第二管芯的动态合格/不合格指标,其中,所述动态合格/不合格指标是所述第一管芯和所述第二管芯的温度的函数; 测量所述第二管芯的第二温度,其中,所述测试条件组包括所述第一管芯和所述第二管芯的共同测试条件,并且其中,所述测试条件组对应于所述第一管芯的所述第一温度和所述第二管芯的第二温度;以及 使用所述测试条件组测试所述第二管芯,或者 所述第一管芯和所述第二管芯的所述动态合格/不合格指标是所述第一管芯和所述第二管芯中的应力的其他函数。4.一种方法,包括 建立封装件中的第一管芯的动态合格/不合格指标,其中,所述动态合格/不合格指标是所述第一管芯的温度的函数,并且其中,所述封装件包括多个堆叠管芯; 测量所述第一管芯的第一温度; 找出对应于所述第一温度的所述第一管芯的合格/不合格标准;...
【专利技术属性】
技术研发人员:王敏哲,彭经能,林鸿志,陈颢,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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