在半导体器件和封装组件中的凸块结构制造技术

一种位于半导体衬底或封装组件中的凸块结构包括：形成在半导体衬底的导电焊盘上方的凸块下金属化(UBM)层。UBM层的宽度大于导电焊盘的宽度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体地，涉及位于半导体器件和封装组件中的凸块结构。
技术介绍
由于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改善，半导体工业已经经历了持续的快速发展。通常，集成密度的这种改善源于最小特征尺寸的反复减小，从而允许更多的元件集成在给定面积上。过去的几十年还经历了半导体封装的多种改变，该半导体封装的改变对整个半导体工业具有影响。表面贴装技术(SMT)和球栅阵列(BGA)封装的引入通常对于各种IC器·件的高生产能力装配来说是重要的进步，同时允许减小印刷电路板上的焊盘间距。封装IC具有基本上通过细金丝互连的结构，该细金丝位于管芯上方的金属焊盘和电极之间，该细金丝延伸到模制的树脂封装件外部。另一方面，一些芯片级封装(CSP)或者BGA封装取决于焊料凸块，从而提供位于管芯上方的接触和位于衬底上方的接触之间的电连接，例如，该衬底为封装衬底、印刷电路板(PCB)、或另一管芯/晶圆等。其他CSP或者BGA封装件根据用于结构集成的焊料连接利用设置在导体柱上方的焊球或金属凸块。组成互连的不同层通常具有不同的热膨胀系数(CTE)。因此，将源于这种偏差的相对较大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括第一导电焊盘和第二导电焊盘；第一凸块结构，覆盖并且电连接至所述第一导电焊盘；以及第二凸块结构，覆盖并且电连接至所述第二导电焊盘，存在从所述第一凸块结构的中心至所述第二凸块结构的中心的凸块间距，其中，所述第一导电焊盘具有第一宽度，所述第一凸块结构具有第二宽度的第一凸块下金属化UBM层，所述第二宽度大于所述第一宽度。

【技术特征摘要】
2011.07.29 US 13/193,9691.一种半导体器件，包括 半导体衬底，包括第一导电焊盘和第二导电焊盘； 第一凸块结构，覆盖并且电连接至所述第一导电焊盘；以及 第二凸块结构，覆盖并且电连接至所述第二导电焊盘，存在从所述第一凸块结构的中心至所述第二凸块结构的中心的凸块间距， 其中，所述第一导电焊盘具有第一宽度，所述第一凸块结构具有第二宽度的第一凸块下金属化UBM层,所述第二宽度大于所述第一宽度。2.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述第二宽度和所述凸块间距之间的比率在约O. 65和约O. 8之间。3.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述第一宽度和所述凸块间距之间的比率在约O. 5和O. 6之间。4.根据权利要求I所述的半导体器件，进一步包括钝化层，位于所述第一导电焊盘和所述第一 UBM层之间，所述钝化层具有露出所述第一导电焊盘的一部分的第一开口。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一开口的宽度和所述凸块间距之间的比率在约O. 3和O. 4之间。6.根据权利要求4所述的半导体器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄其达，庄曜群，林宗澍，郭正铮，陈承先，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：