本发明公开一种通过形成加压的背面介电层控制器件性能。一种器件，包括：p型金属氧化物半导体(PMOS)器件和n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，位于半导体衬底的前面。第一介电层被设置在半导体衬底的背面上。第一介电层将第一应力类型的第一应...

一种集成电路包括围绕着设置在基板上方的电路设置的密封环结构。第一焊盘与该密封环结构电连接。泄漏电流测试结构与该密封环结构相邻地设置。第二焊盘与该泄漏电流测试结构电连接，其中，该泄漏电流测试结构被配置为在密封环结构和泄漏电流测试结构之间提...

本发明提供一种集成电路。集成电路包括形成在衬底上的互连结构；形成在互连结构上并且与互连结构连接的接合金属迹线，其中接合金属迹线包括以第一方向限定的第一宽度T；以及形成在接合金属迹线上并且与接合金属迹线对准的金属凸块柱，其中金属凸块柱包括...

本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括衬底。该半导体器件包括被置于衬底上方的电子器件。电子器件包括开口。该半导体器件包括：位于衬底上方并围绕电子器件的屏蔽器件。该屏蔽器件包括多个伸长件。多个伸长件的子集延伸穿过电子器件的开口。电子器件和...

本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，在X方向和与X方向垂直的Y方向上延伸。半导体器件包括互连结构，在衬底上方在与X方向和Y方向均垂直的Z方向上形成该互连结构。该互连结构包括通过多个通孔在Z方向上互连在一起的多条金属线。互...

本发明涉及半导体器件。半导体器件包括具有水平面的衬底。半导体器件包括形成在衬底的水平面上方的互连结构。互连结构包括感应线圈，该电感线圈被基本上缠绕在与衬底的水平面垂直的垂直平面上。互连结构包括被设置为紧邻感应线圈的电容器。电容器具有阳极...

本发明提供了一种形成接合焊盘结构的机构。该接合焊盘具有通过接合焊盘下面的钝化层中的开口形成的凹槽区域。上钝化层至少覆盖了接合焊盘的凹槽区域，以减少困在凹槽区域中的图案化残留物和/或蚀刻残留物。由此降低了接合焊盘腐蚀的可能性。本发明还提供...

提供了用于在CMP加工中实时检测差错的方法和装置。方法包括：在用于化学机械抛光(“CMP”)的工具中的晶圆载具上设置半导体晶圆；放置晶圆载具以使半导体晶圆的表面接触在旋转压板上安装的抛光垫；在旋转抛光垫上分配研磨剂，同时保持半导体晶圆的...

本发明提供了一种电容器及其制造方法，片上系统(SOC)器件包括第一区域中的第一电容器、第二区域中的第二电容器，并且还包括第三区域中的第三电容器以及附加区域中的任何附加数量的电容器。电容器可以为不同的形状和大小。区域可包括多于一个的电容器...

MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度(例如，至)足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚的IMD层...

本发明公开了用于基于2.5D/3D系统芯片的宽I/O?DRAM的DRAM测试架构，包括逻辑管芯和存储管芯。在2.5D结构中，逻辑管芯和存储管芯安装在中介片上。在3D结构中，存储管芯安装在逻辑管芯上。逻辑管芯包括包裹有处理器测试外壳的控制...

本发明涉及基于宽I/O?DRAM的2.5D/3D系统芯片的DRAM修复架构。2.5D或3D修复架构包括逻辑管芯和存储器管芯。在2.5D架构中，逻辑管芯和存储器管芯安装在中介层上。在3D架构中，存储器管芯安装在逻辑管芯上。逻辑具有被处理器...

一种照明装置包括至少一个散热片。至少两个发光二极管(LED)模块被安装在至少一个散热片上。该至少两个LED模块以不同方向安装在至少一个散热片上，使得至少两个LED模块中的第一LED模块为了直接照明而大体上在第一方向上发光，而至少两个LE...

本发明公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在...

本公开内容提供了运动传感器结构的一个实施例。运动传感器结构包括：第一衬底，具有形成在其上的集成电路；第二衬底，通过第一表面与第一衬底接合，其中，第二衬底包括形成在其上的运动传感器；以及第三衬底，与第二衬底的第二表面接合，其中，第三衬底包...

一种发光二极管(LED)灯包括多个不同颜色的LED，可以使用通过用户操作的外部开关以不同组合接通和断开多个不同颜色的LED。用户或控制器可以调节通过灯所输出的光的色温。色温改变可以为用户偏好设定并且可以补充随时间降低的荧光体效率。

影像检测器阵列的形成方法包括如下步骤：提供基板，其具有第一、第二及第三影像检测器；形成第一、第二及第三滤光片，各自靠近该第一、第二及第三影像检测器；应用光掩模同时形成第一、第二及第三微透镜，第一微透镜对准该第一影像检测器与该第一滤光片，...

本发明提供了多栅极介电半导体结构以及形成这种结构的方法。在一个实施例中，一种用于形成半导体结构的方法包括提供包括像素阵列区域、输入/输出(I/O)区域、以及核心区域的衬底。该方法进一步包括在像素阵列区域上方形成第一栅极介电层，在I/O区...

一种多芯片晶圆级封装件包括三个堆叠的半导体管芯。第一半导体管芯内嵌在第一感光材料层中。在第一半导体管芯顶面上堆叠第二半导体管芯，其中，第二半导体管芯面对面连接至第一半导体管芯。第三半导体管芯背对背附接至第二半导体管芯。第二半导体管芯和第...

本发明公开一种多芯片晶圆级封装的方法，该方法包括：使用多个感光材料层形成重配置晶圆。在感光材料层中嵌入多个半导体芯片和晶圆。而且，在感光材料层中形成多种组件通孔。嵌入感光材料层中的每个半导体芯片均通过由组件通孔形成的连接路径连接至输入/...