用于减少接合焊盘腐蚀的接合焊盘结构制造技术

本发明专利技术提供了一种形成接合焊盘结构的机构。该接合焊盘具有通过接合焊盘下面的钝化层中的开口形成的凹槽区域。上钝化层至少覆盖了接合焊盘的凹槽区域，以减少困在凹槽区域中的图案化残留物和/或蚀刻残留物。由此降低了接合焊盘腐蚀的可能性。本发明专利技术还提供了一种用于减少接合焊盘腐蚀的接合焊盘结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及的是集成电路，并且更具体地涉及的是接合焊盘结构。
技术介绍
集成电路通常形成在衬底(诸如，半导体晶圆)上。衬底上包括了接合焊盘(结合焊盘)。接合焊盘向集成电路器件提供了界面，通过该界面可以制造与器件的电连接。专利技术人所知的以前的技术惯于使用接合焊盘(诸如，热压焊或热超声焊引线接合、倒装技术以及其他技术)来提供从封装终端到集成电路的连接
技术实现思路
·根据本专利技术的一个方面，提供了一种接合焊盘结构，包括第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖了上部导电层的一部分，并且通过第一开口暴露出所述上部导电层；接合焊盘，其中，所述接合焊盘覆盖了所述第一钝化层的一部分，并且其中，所述接合焊盘覆盖了所述第一钝化层中的所述第一开口，以形成凹槽区域，并且其中，所述接合焊盘与通过所述第一开口暴露出的所述上部导电层相接触；以及第二钝化层，其中，所述第二钝化层至少覆盖了所述接合焊盘中的所述凹槽区域。在该接合焊盘结构中，所述接合焊盘结构进一步包括所述上部导电层，其中，所述上部导电层具有与所述接合焊盘基本相同的尺寸，并且设置在所述接合焊盘正下方；下部导电层，其中，所述下部导电层也具有与所述导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合焊盘结构，包括：第一钝化层，其中，所述第一钝化层覆盖了上部导电层的一部分，并且通过第一开口暴露出所述上部导电层；接合焊盘，其中，所述接合焊盘覆盖了所述第一钝化层的一部分，并且其中，所述接合焊盘覆盖了所述第一钝化层中的所述第一开口，以形成凹槽区域，并且其中，所述接合焊盘与通过所述第一开口暴露出的所述上部导电层相接触；以及第二钝化层，其中，所述第二钝化层至少覆盖了所述接合焊盘中的所述凹槽区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈英儒，陈宪伟，于宗源，梁世纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：