具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法技术方案

本发明专利技术公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计，以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统，以及一种方法，该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法，使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明专利技术还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括磁控溅射系统、溅射靶和用于使用物理汽相沉积在衬底上溅射镀膜的方法的磁控溅射涂覆

技术介绍
磁控溅射通常用于使用物理汽相沉积(PVD)涂覆具有膜的衬底。溅射镀膜溅射用于在例如半导体行业、光学行业、数据存储行业中生产膜，也用于生产功能膜或用于其他用途的涂层。磁控溅射源，更准确地说是磁控阴极溅射源，由于其提供了高沉积速度而被广泛使用。半导体制造工业使用的半导体晶圆或使用在其他工业的其他工件，被定位在磁控溅射系统的处理腔室中，溅射靶被粘附在系统中，并且产生电场和磁场以引起溅射靶材侵蚀并且使得被释放的靶材料针对半导体晶圆或其他工件。 尤其是，在溅射阴极中，通过以下方式形成涂覆材料通过来自等离子放电的高能离子将靶侵蚀，并且被离子释放的材料形成膜通过物理汽相沉积(PVD)涂覆在衬底上。等离子体放电通常在排空的工艺腔室(即真空腔室)中进行，在具有电势的工作气体的气流控制下，通过阳极和阳极之间的电源来施加电流。在导电溅射靶材料的标准情况下，利用连续或脉冲负电压提供靶，使得在靶表面上方形成等离子体。通过在等离子体和溅射靶表面之间形成的电场，来自等离子体的带正电的离子被加速朝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶，能够与磁控溅射系统中的磁体装置一起使用，并且包括设置在平坦垫板上方的靶材料，所述靶材料具有包括较厚部分和较薄部分的不平坦上溅射表面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阙嘉良，陈国洲，李仁铎，孟宪梁，林俊维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：