用于在CMP加工中实时差错检测的装置和方法制造方法及图纸

提供了用于在CMP加工中实时检测差错的方法和装置。方法包括：在用于化学机械抛光(“CMP”)的工具中的晶圆载具上设置半导体晶圆；放置晶圆载具以使半导体晶圆的表面接触在旋转压板上安装的抛光垫；在旋转抛光垫上分配研磨剂，同时保持半导体晶圆的表面与抛光垫接触，以在半导体晶圆上实施CMP工艺；实时从CMP工具接收信号至信号分析器中，所述信号对应于振动、声音、温度、或压力；比较来自CMP工具的接收信号和采用CMP工具进行正常加工时的预期接收信号；以及输出比较的结果。公开了CMP工具装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于在CMP加工中实时差错检测的装置和方法。
技术介绍
化学机械抛光(“CMP”)常用于当前先进的半导体加工。在CMP中，旋转焊盘接收研磨剂(abrasive slurry)。将焊盘安装在压板上,并且通常取向为面朝上布置。晶圆载具沿着焊盘向下移动。晶圆载具可以绕着中心轴旋转，并可以摆动。可以使用真空或静电力在载具上安装半导体晶圆。设置晶圆载具以使半导体晶圆的面接触抛光垫和浆料。晶圆和载具在抛光工艺期间还可以旋转和摆动。例如，晶圆可以具有需要平坦化的介电层。在其他工艺步骤中，例如，对于镶嵌金属制造，可以使用CMP去除多余的金属并平坦化镀金属导体的上表面和周围的电介质，以在介电层内形成嵌入的金属导体。通过研磨抛光半导体晶圆的表面，可以去除层中的表面粗糙以平坦化层。同样也可以去除多余的材料。 在表面的CMP加工期间，有时会产生颗粒。如果硬颗粒陷在晶圆和CMP抛光垫之间的晶圆表面上，能够发生晶圆擦伤(scratching)。擦伤可以导致在晶圆上制造的集成电路器件缺陷，并导致这些器件的损失。晶圆擦伤经常检测不出来，直到晶圆加工进入后期阶段，在后期阶段中进行一些扫描或者目检。在实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在用于化学机械抛光(“CMP”)的工具中的晶圆载具上设置半导体晶圆；放置所述晶圆载具以使所述半导体晶圆的表面接触在旋转压板上安装的抛光垫；在旋转抛光垫上分配研磨剂，同时保持所述半导体晶圆的所述表面与所述抛光垫接触，以在所述半导体晶圆上实施CMP工艺；实时从所述CMP工具接收信号至信号分析器中，所述信号对应于感应基本上由振动、声音、温度、和压力组成的组中选出的一种；比较来自所述CMP工具的接收信号和利用所述CMP工具进行正常加工时的预期接收信号；以及输出比较的结果。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄正吉，李柏毅，杨棋铭，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：