【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及。
技术介绍
半导体器件用在各种电子应用中，例如，个人计算机、移动电话、数码相机、以及其他电子设备作为实例。通常，通过在半导体衬底的上方顺序沉积材料的绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层，使用光刻法将各种材料层图案化从而在其上形成电路元件和元件来制造半导体器件。在一些半导体器件中，将电源线和地线布线至位于集成电路中的逻辑门和其他 器件。来自电源的电流流经电源线、逻辑门、并且最后接地。在逻辑门的切换期间，在较短的时间周期内产生大量的电流变化。将去耦电容器用于在电流切换期间吸收这些毛刺(glitches)。去耦电容器还用于保持在电源电压和地线之间的恒定电压。当需要防止所供给电压的瞬间降低时，将该去稱电容器用作电荷库(charge reservoir),该电荷库另外为电路提供电流。将所使用的一种类型的去稱电容器(decoupling capacitor)称作金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。MIM电容器具有两个金属层和位于该两个金属层之间的介电绝缘层。在两个金属层之间形成电容。通常在半导体器件的上互连层中制造MM电容器。本领域...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：电压源线；电压回路线；至少一个集成电路；以及至少一个去耦电容器，连接在所述电压源线和所述电压回路线之间，其中，所述至少一个去耦电容器定向的方向与所述至少一个集成电路定向的方向不同。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：涂国基，曾国权，江文铨，王铨中，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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