用于晶圆研磨的装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及用于晶圆研磨的装置。
技术介绍
将硅晶圆用作衬底，从而制造多数半导体器件。制造硅晶圆从单晶硅锭的生长开始。工艺序列用于将硅锭变换为晶圆。晶圆可以为完整晶圆或者切割硅(衬底)晶圆。该工艺通常由以下步骤组成切割、圆边或者倒角、平整化(碾磨或研磨)、蚀刻、以及抛光。研磨是用于硅晶圆的表面的平整化工艺，而不是用于边的平整化工艺。在晶圆的前面上，制造半导体器件。通过研磨将晶圆的背侧薄化到某一厚度。将这种研磨晶圆背侧简单地称作背侧研磨，通常通过金刚石砂轮来实施该背侧研磨。在背侧研磨中，去除量通常为几百微米(晶圆厚度)，并且通过以两个步骤实施该背侧研磨粗磨和细磨。粗磨利用具有更大金刚石磨料的粗磨金刚石砂轮，用于去除需要的总去除量的大部分，还利用更快的进给速率，从而实现更大的生产能力。对于细磨来说，将更慢的进给速率和具有更小金刚石磨料的细磨砂轮用于去除少量硅。传统的研磨工具通常具有多个研磨模块，将该多个研磨模块用于在研磨工艺的各个阶段中研磨半导体晶圆I的背侧。在第一阶段或者第一位置处通过第一研磨砂轮实施粗磨，并且随后在第二阶段通过第二研磨...
【技术保护点】
一种研磨砂轮，包括：外部基底，具有第一附接的磨粒抛光垫；内部框架，包含在所述外部基底内，具有与所述第一附接的磨粒抛光垫不同的磨粒尺寸的第二附接的磨粒抛光垫；以及主轴，所述外部基底和所述内部框架共用所述主轴，其中，所述外部基底和所述内部框架中的至少一个可以沿着所共用的主轴独立地移动；其中，所述外部基底、所述内部框架、以及所共用的主轴均具有相同的旋转中心。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：魏国修，陈科维，王英郎，郭俊廷，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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