【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种导电凸块的柱设计。
技术介绍
为了提供外部连接器的物理连接和电连接点，可以在半导体衬底上形成导电柱。通常，穿过半导体衬底的顶部钝化层形成这些导电柱，从而为形成在半导体衬底上的有源器件提供外部连接。为了包括随后形成的连接，例如，球形导电凸块，将导电柱形成 为圆柱形。可以由诸如焊料的连接材料在导电柱上方形成导电凸块。通常，将导电凸块设置在导电柱上方，然后加热该导电凸块，从而使得该导电凸块部分熔化并且回流为凸块形状。一旦形成，然后，可以将导电凸块设置为与分离的衬底相接触，例如，该衬底为印刷电路板或另一半导体衬底。在将导电凸块设置为接触以后，为了将导电凸块接合至分离衬底，导电凸块可以再次回流，从而不仅在半导体衬底和分离衬底之间提供了电连接，而且在半导体衬底和分离衬底之间提供了接合机制。然而，为了使这种工艺可靠，当将导电凸块设置在圆形导电柱的上方时，必须精确控制导电材料的数量。如果导电材料的数量过多，则增加了在回流工艺期间无意之中可能造成彼此相邻的导电凸块接触和桥接的危险，提供了不期望的短路。反之，如果导电材料的数量不...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一衬底；以及导电柱，向远离所述第一衬底的方向延伸，所述导电柱包括：垂直于所述第一衬底的一个或多个沟槽。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢政杰，黄震麟，蔡柏豪，侯上勇，林俊成，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。