【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具 体地，涉及一种3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法。
技术介绍
随着半导体器件的尺寸越来越小，集成电路发展的趋势是在越来越小的芯片上集成越来越多的电子器件。3D集成电路需要将芯片与芯片、芯片与晶片、晶片与晶片之间进行结合。然而，在芯片或晶片的结合过程中，由于对齐误差，可能会造成短路或互连开路等问题，使得集成电路的可靠性大大降低，集成电路制造的良率也随之下降，这在很大程度上增加了集成电路制造的成本。有鉴于此，需要提供一种3D集成电路结构以及检测芯片结构是否对齐的方法，以增大互连的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种3D集成电路结构以及检测半导体衬底是否对齐的方法，采用测量检测结构之间的电连接状况来判断是否对齐，以克服上述现有技术中的问题。根据本专利技术的一方面，提供了一种3D集成电路结构，包括第一芯片结构和第二芯片结构；所述第一芯片结构包括第一半导体衬底、第一绝缘层以及第一检测结构，其中第一绝缘层位于所述第一半导体衬底上，第一检测结构嵌入于第一绝缘层形成；所述第一检测结构包括第一检测基体和第二监测基体，第一检测基...
【技术保护点】
一种3D集成电路结构，其特征在于，包括：第一芯片结构和第二芯片结构；所述第一芯片结构包括第一半导体衬底、第一绝缘层以及第一检测结构，其中第一绝缘层位于所述第一半导体衬底上，第一检测结构嵌入于第一绝缘层形成；所述第一检测结构包括：第一检测基体和第二监测基体，第一检测基体包括多个在第一方向延伸的第一导体，第二监测基体包括多个在第二方向延伸的第二导体，第一导体与第二导体关于一对称线对称并相互绝缘；多个所述第一导体远离所述对称线的一端具有第一焊垫，多个所述第一导体靠近所述对称线的一端呈阶梯状分布，多个所述第二导体远离所述对称线的一端具有第二焊垫，多个所述第二导体靠近所述对称线的一端...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖卫平，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。