一种电流源电路、芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种电流源电路、芯片及电子设备。其中，该电流源电路包括：比例电路，用于响应于输入的第一电流，将第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流；镜像电流源，其包括第一节点，镜像电流源的第一节点与比例电路连接，并且用于响应于输入的第二电流及第三电流，将第二电流及第三电流进行相加。其中，第一预设比例系数可以由设计者根据应用需求进行配置，因此，该电流源电路能够输出任意比例系数的电流，并且其电路结构简单科学。

Current source circuit, chip and electronic equipment

The invention relates to the technical field of integrated circuits, in particular to a current source circuit, a chip and an electronic device. Among them, the current source circuit includes: the proportion of the circuit for the first response to the input current, the first current configuration into second current first preset ratio; current mirror, which comprises a first node, the first node of mirror current source is connected with the ratio of the circuit, and for second and three in response to the current input current second, current and three current together. Wherein, the first preset scale factor can be configured by the designer according to the application requirements, therefore, the current source circuit can output the current of any proportion factor, and the circuit structure of the current source is simple and scientific.

【技术实现步骤摘要】
一种电流源电路、芯片及电子设备
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种电流源电路、芯片及电子设备。
技术介绍
在集成电路领域中，对于不同的模拟集成电路，其所需要的电流源均有所不同，例如，模数转换器所需的电流源与USB接口电路所需的电流源互不相同。现有相关技术通过配置电流基准源的各个电性参数，从而使其能够产生不同的正温度系数电流源及零温度系数电流源。专利技术人在实现本专利技术的过程中，发现现有相关技术存在以下问题：现有电流基准源的电路设计过于复杂，并且电流基准源的每种器件电性参数特性及温度特性均是确定的，因此，现有电流基准源还未能够产生任意比例系数的电流源。
技术实现思路
本专利技术实施例的一个目的旨在提供一种电流源电路、芯片及电子设备，其解决现有电流源电路比较复杂并且未能够产生任意比例系数的电流源。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供以下技术方案：在第一方面，本专利技术实施例提供一种电流源电路，所述电流源电路包括：比例电路，用于响应于输入的第一电流，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流；镜像电流源，其包括第一节点，所述镜像电流源的第一节点与所述比例电路连接，并且用于响应于输入的所述第二电流及第三电流，将所述第二电流及第三电流进行相加。可选地，所述第一电流为正温度系数电流或负温度系数电流；所述第三电流为正温度系数电流或负温度系数电流。可选地，所述比例电路包括电阻单元及比例单元，所述电阻单元与所述比例单元连接，所述电阻单元配置有第二预设比例系数的电阻值，所述比例单元响应于所述第一电流及所述电阻单元的两端电压，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流。可选地，所述电阻单元包括配置有第二预设比例系数的第一电阻；所述比例单元包括：第二电阻、第一NMOS管、运放器及电流镜像单元；所述第二电阻的一端接地，所述第二电阻的另一端与所述运放器的同相输入端连接并且用于输入所述第一电流，所述运放器的反相输入端分别与所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极连接，所述第一电阻的一端接地，所述运放器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜像单元的输入端连接，所述电流镜像单元的输出端与所述第一节点连接并且用于输出第二电流；所述电流镜像单元用于根据所述第一电阻的两端电压，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流。可选地，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管及第二PMOS管；所述第二PMOS管的漏极为所述电流镜像单元的输入端，所述第一PMOS管的漏极为所述电流镜像单元的输出端；所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管及第二PMOS管的源极皆连接外部电源，所述第一PMOS管的漏极与所述第一节点连接并且用于输出所述第二电流。可选地，所述电流镜像单元还包括：第三PMOS管及第四PMOS管；所述第三PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管及第四PMOS管的栅极用于连接偏置电压，所述第三PMOS管的漏极与所述第一节点连接并且用于输出所述第二电流，所述第四PMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述第四PMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极连接。可选地，所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比之间的比例为宽长比例系数；所述宽长比例系数与所述第一预设比例系数相乘的结果为所述第二预设比例系数。可选地，所述镜像电流源包括：第二NMOS管及第三NMOS管；所述第二NMOS管的漏极为第一节点并且用于接收所述第二电流及第三电流，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管及第三NMOS管的栅极连接，所述第二NMOS管及第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极用于输出将所述第二电流及第三电流相加后的总和电流。在第二方面，本专利技术实施例提供一种芯片，所述芯片包括上述的电流源电路。在第三方面，本专利技术实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的电流源电路。在本专利技术各个实施例中，比例电路将第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流，镜像电流源将第二电流及第三电流进行相加，其中，第一预设比例系数可以由设计者根据应用需求进行配置，因此，该电流源电路能够输出任意比例系数的电流源，并且其电路结构简单科学。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是本专利技术实施例提供一种电流源电路的电路原理框图；图2是本专利技术另一实施例提供一种电流源电路的电路原理框图；图3是本专利技术又另一实施例提供一种电流源电路的电路原理框图；图4是本专利技术又另一实施例提供一种电流源电路的电路结构示意图；图5是本专利技术又另一实施例提供一种电流源电路的电路结构示意图；图6是本专利技术又另一实施例提供一种电流源电路的电路结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1是本专利技术实施例提供一种电流源电路的电路原理框图。如图1所示，该电流源电路100包括比例电路11及镜像电流源12，镜像电流源12包括第一节点12A，镜像电流源12的第一节点12A与比例电路11连接。比例电路11响应于输入的第一电流，将第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流，其中，第一电流可以为外部电流源产生的电流。设计者可以通过配置比例电路11中的各个器件电性参数，以根据产品应用需求通过比例电路11将第一电流放大或者缩小至任意期望的倍数，因此，该第一预设比例系数可以为任意值。第二电流及第三电流汇聚于第一节点12A，镜像电流源12响应于输入的第二电流及第三电流，将第二电流及第三电流进行相加，并且将相加后的总和电流输出外围电路，外围电路可以为一些模拟集成电路。因此，该电流源电路100能够输出任意比例系数的电流源，并且其电路结构简单科学。在一些实施例中，第一电流为正温度系数电流或负温度系数电流，第三电流为正温度系数电流或负温度系数电流。正温度系数电流是与绝对温度成正比的电流，负温度系数电流是与绝对温度成反比的电流。在集成模拟电路中，正温度系数电流或负温度系数电流可以由一些常用的基准电流源电路产生，例如，使用VTH(电压阈值)为基准的电流源，Widlar电流源(微电流源)、电压控制的基准电流源。因此，第一电流或第三电流可以由上述各种电流源电路产生。随着集成电路技术的发展，集成电路工艺技术也日新月异，但无论哪种工艺技术平台，它所能提供的器件都是有限的。且每种器件的电性参数特性及温度特性均是确定的。因此，根据产品应用的需求和特点在特定的工艺平台下，受限于平台器件的特性，产生任意温度系数电流源是比较困难的。然而，在本专利技术实施例中，其通过简单的电路架构，结合能够产生正温度系数电流及负温度系数电流的各种电流源，将第一电流及第三电流配置成任意温度系数的电流，从而满足实际应用的产品需求。在一些实施例中，如图2所示，比例电路11包括电阻单元111及比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流源电路，其特征在于，包括：比例电路，用于响应于输入的第一电流，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流；镜像电流源，其包括第一节点，所述镜像电流源的第一节点与所述比例电路连接，并且用于响应于输入的所述第二电流及第三电流，将所述第二电流及第三电流进行相加。

【技术特征摘要】
1.一种电流源电路，其特征在于，包括：比例电路，用于响应于输入的第一电流，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流；镜像电流源，其包括第一节点，所述镜像电流源的第一节点与所述比例电路连接，并且用于响应于输入的所述第二电流及第三电流，将所述第二电流及第三电流进行相加。2.根据权利要求1所述的电流源电路，其特征在于，所述第一电流为正温度系数电流或负温度系数电流；所述第三电流为正温度系数电流或负温度系数电流。3.根据权利要求1所述的电流源电路，其特征在于，所述比例电路包括电阻单元及比例单元，所述电阻单元与所述比例单元连接，所述电阻单元配置有第二预设比例系数的电阻值，所述比例单元响应于所述第一电流及所述电阻单元的两端电压，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流。4.根据权利要求3所述的电流源电路，其特征在于，所述电阻单元包括配置有第二预设比例系数的第一电阻；所述比例单元包括：第二电阻、第一NMOS管、运放器及电流镜像单元；所述第二电阻的一端接地，所述第二电阻的另一端与所述运放器的同相输入端连接并且用于输入所述第一电流，所述运放器的反相输入端分别与所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极连接，所述第一电阻的一端接地，所述运放器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜像单元的输入端连接，所述电流镜像单元的输出端与所述第一节点连接并且用于输出第二电流；所述电流镜像单元用于根据所述第一电阻的两端电压，将所述第一电流配置成第一预设比例系数的第二电流。5.根据权利要求4所述的电流源电路，其特征在于，所述电流镜像单元包括：第一PMOS管及第二PMOS管；所述第二PMOS管的漏极为所述电流镜像单...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞海燕，
申请(专利权)人：深圳慧能泰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44