电源芯片中MOSFET的测试电路制造技术

技术编号:14899449 阅读:17 留言:0更新日期:2017-03-29 14:31
本实用新型专利技术揭示了一种电源芯片中MOSFET的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端,还包括有辅助电路,所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P‑MOSFET开关Q2和电阻R,所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P‑MOSFET开关Q2的D端,肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端,电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地,P‑MOSFET开关Q2的G端接地。本实用新型专利技术的有益效果是:使用电源芯片中PWM发生器,来测试电源芯片中测试电路芯片MOSFET开关RDSON参数,简单,可以测试出被测MOSFET开关的RDSON参数,判断被测MOSFET的功耗情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术电源芯片中MOSFET的RDSON参数测试领域,特别涉及一种电源芯片中MOSFET的贯通电阻的测试电路。
技术介绍
RDSON参数是指在MOSFET完全导通的状态下Drain、Source之间的总电阻,它是反映MOSFET工作时功耗的主要参数。一般测试方法是在Gate端、Source端间加一定电压使MOSFET开启,在Drain端加电流ID测试Drain、Source之间的电压差VDS,然后计算RDSON=VDS/ID。目前很多电源芯片将主控芯片和MOSFET封装在一起,而主控芯片驱动MOSFET由PWM发生器控制,并没有可以直接控制MOSFET开启、关闭的直流电平。
技术实现思路
本技术的主要目的为提供,一种电源芯片中MOSFET的测试电路,可以配合PWM信号发生器来测试MOSFET的贯通电阻。本技术提出了一种电源芯片中MOSFET的贯通电阻的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端,还包括有辅助电路,所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P-MOSFET开关Q2和电阻R,所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P-MOSFET开关Q2的D端,肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端,电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地,P-MOSFET开关Q2的G端接地。进一步地,所述PWM发生器为方波模拟PWM发生器。进一步地,所述肖特基二极管D1数量为两个,两个肖特基二极管同正负极并接。本技术的有益效果是:使用电源芯片中PWM发生器,来测试电源芯片中测试电路芯片MOSFET开关RDSON参数,简单,可以测试出被测MOSFET开关的RDSON参数,判断被测MOSFET的功耗情况。附图说明图1是本技术一实施例一种双芯片电源中MOSFET的贯通电阻的测试电路。本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。Schottky,肖特基二极管,图中为D1。Zener,稳压管二极管,图中为D2。PWM是英文“PulseWidthModulation”的缩写,简称脉宽调制,是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。MOSFET,英文全称:Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET,中文名称:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(Field-effecttransistor)。PWM控制下MOSFET测试RDSON的原理简化,我们可以把在PWM发生器接在被测MOSFET开关的G端,S端接地,G端加方波模拟PWM发生器波形,D端接上电阻到VDC电压,当G端的电压为低时,MOSFET关闭,D端电压为VDC;当G端电压为高时,MOSFET开启,D端电压为VD,此时的VD即为计算RDSON的电压。参照图1,提出本技术一实施例,一种电源芯片中MOSFET的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在MOSFET开关Q1的G端,还包括有辅助电路,辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P-MOSFET开关Q2和电阻R1,被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P-MOSFET开关Q2的D端,肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端,电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地,P-MOSFET开关Q2的G端接地。肖特基二极管D1起泄流作用,其功率取决于测试条件的ID值,实际测试时可以用两个以上肖特基二极管D1同正负极并联使用。稳压管二极管D2的稳定电压Vz要小于被测试芯片的工作电压,其功率需满足P>Vz*ID。电阻R1在电路中起限流作用。ID通过P-MOSFET开关流入被测芯片,P-MOSFET开关起可变电阻作用。被测MOSFET开关Q1的G端的电压Vgs为低电平时,被测MOSFET开关Q1关闭,ID给200mA电流经过D1、D2回路,起到泄流、稳压作用,被测MOSFET开关Q1的D端电压为稳压二极管的电压值Vz。当Vgs为高电平时,被测MOSFET打开,ID给200mA电流经过被测试MOSFET回路,此时的Drain电压V/0.2A即为被测试MOSFET的RDSON(导通电阻)。本技术的原理是:当Vgs为一定频率的PWM波形时,只需要在D端加比较器,使用比较器快速扫描电压就能比较出D端的低电平值,实际调试测试中为了准确的测试RDSON值扫描电压的时间越短越好,以免通过ID电流值大使被测试MOSFET发热产生温漂。本技术的有益效果是:使用电源芯片中PWM发生器,来测试电源芯片中测试电路芯片MOSFET开关RDSON参数,简单,可以测试出被测MOSFET开关的RDSON参数,判断被测MOSFET的功耗情况。以上所述仅为本技术的优选实施例,并非因此限制本技术的专利范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电源芯片中MOSFET的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端,其特征在于,还包括有辅助电路,所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P‑MOSFET开关Q2和电阻R,所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P‑MOSFET开关Q2的D端,肖特基二极管D1的负极接稳压二极管D2的负极和电阻R的一端,电阻R的另一端和稳压二极管D2的正极接地,P‑MOSFET开关Q2的G端接地。

【技术特征摘要】
1.一种电源芯片中MOSFET的测试电路,包括有被测MOSFET开关Q1和起到调制作用的PWM发生器,PWM发生器接在所述MOSFET开关Q1的G端,其特征在于,还包括有辅助电路,所述辅助电路包括有肖特基二极管D1、稳压二极管D2、P-MOSFET开关Q2和电阻R,所述被测MOSFET开关Q1的D端接肖特基二极管D1的正极和P-MOSFET开关Q2的D端,肖特基二...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘雷
申请(专利权)人:深圳市立能威微电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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