具有铜结构的集成电路芯片及相关制造方法技术

提出了一种包括铜结构的集成电路芯片。该铜结构的表面覆盖中间金属覆层。该集成电路芯片包含制作有集成电路的衬底、电气耦接中至集成电路的金属焊盘、电气耦接至金属焊盘的铜结构和形成于铜结构上的焊料凸起。该铜结构可以包括再布线层和位于再布线层上的铜柱。

【技术实现步骤摘要】
相关引用本申请主张于2015年5月26日在美国提交的第62/166,567号临时专利申请和于2015年11月17日在美国提交的第14/944,054号专利申请的优先权和权益，并在此包含了前述专利申请的全部内容。
本专利技术的实施例涉及集成电路，特别地，涉及用于集成电路芯片中的铜结构。
技术介绍
集成电路芯片通常包含输入/输出(I/O)焊盘，与该芯片中的电路单元连接。这些I/O焊盘可以通过焊线连接至芯片的封装引脚。I/O焊盘也可以连接至芯片中的再布线层。再布线层一般是一金属层，可以使I/O焊盘在芯片中的分布位置灵活变化。再布线层一般还连接至焊球/焊料凸起，以允许其所在芯片电气连接至外部电路，例如集成于另一芯片中的电路。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例提出了一种包括铜结构的集成电路芯片。该铜结构的表面覆盖中间金属覆层。该集成电路芯片包含制作有集成电路的衬底、电气耦接中至集成电路的金属焊盘、电气耦接至金属焊盘的铜结构和形成于铜结构上的焊料凸起。该铜结构可以包括再布线层和位于再布线层上的铜柱。本专利技术的另一实施例提出了一种制造集成电路芯片的方法，包括：在集成电路芯片的衬底上制作铜种子层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造集成电路芯片的方法，包括：在集成电路芯片的衬底上制作铜种子层，并使该铜种子层与金属焊盘耦接，该金属焊盘耦接至衬底中的集成电路；在铜种子层上电镀制作铜以形成第一铜层；在第一铜层上电镀制作铜以形成第二铜层；在第二铜层上电镀制作焊料层；在第一铜层、第二铜层和焊料层的表面上化学镀锡以形成锡覆层；以及对锡覆层进行热处理以在第一铜层和第二铜层的上表面形成锡‑铜中间金属覆层。

【技术特征摘要】
2015.11.17 US 14/944,0541.一种制造集成电路芯片的方法，包括：在集成电路芯片的衬底上制作铜种子层，并使该铜种子层与金属焊盘耦接，该金属焊盘耦接至衬底中的集成电路；在铜种子层上电镀制作铜以形成第一铜层；在第一铜层上电镀制作铜以形成第二铜层；在第二铜层上电镀制作焊料层；在第一铜层、第二铜层和焊料层的表面上化学镀锡以形成锡覆层；以及对锡覆层进行热处理以在第一铜层和第二铜层的上表面形成锡-铜中间金属覆层。2.如权利要求1所述的方法，其中金属焊盘包括所述集成电路芯片的输入/输出焊盘。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二铜层包括电气耦接至所述集成电路芯片的输入/输出焊盘的再布线层。4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二铜层还包括电气耦接至所述再布线层的铜柱。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述铜种子层制作于所述衬底上的钝化层上。6.如权利要求5所述的方法，其中，所述钝化层包括形成于所述金属焊盘上方的多个微型通孔。7.如权利要求5所述的方法，所述钝化层包括氮化硅。8.如权利要求1所述的方法，其中对锡覆层进行热处理包括：采用回流的工艺步骤对焊料层回流以形成焊料凸起。9.一种集成电路芯片，包括：衬底，制作有集成电路；金属焊盘，位于衬底上并电气耦接至所述集成电路；再布线层，电气耦接至所述金属焊盘；铜柱，位于所述再布线层上并电气耦接至所述再布线层；焊料凸起位于所述铜柱上并与所述铜柱电气耦接；以及锡-铜中间金属覆层，形成于所述铜柱和所述再布线层的表面上。10.如权利要求9所述的集成电路芯片，其中所述金属焊盘包括所述集成电路芯片的输入/输出焊盘。11.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋航，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51