集成电路器件制造技术

本实用新型专利技术涉及集成电路器件。一种集成电路(IC)器件包括IC裸片和多个引线。每个引线包括：包含第一材料的未镀制的近端和包含该第一材料的未镀制的远端。镀制的键合线部分在近端和远端之间延伸并且包含第一材料和在第一材料上的第二材料的镀层。多个键合线在IC裸片和引线的镀制的键合线部分之间延伸。包封材料包围IC裸片和键合线，使得每个引线的未镀制的近端和镀制的键合线部分被该包封材料覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路器件的领域，并且更特别地涉及具有从封装的侧面延伸的引线的集成电路封装并且涉及无引线封装。
技术介绍
诸如方形扁平封装(QFP)、小外形集成电路(SOC)封装和塑料单小外形(PSSO)封装的集成电路封装包括裸片焊垫(pad)以及支撑在裸片焊垫表面上的集成电路(或裸片)。包封材料包围集成电路。经常被叫做引线(诸如“鸥翼”引线)的多个引脚通常从形成封装的包封材料的侧面延伸。引线通过键合线被连接到包封的集成电路。这些类型的集成电路器件经常被形成为表面贴装器件。封装形式可以是扁平矩形体，并且经常是具有沿着所有四个侧面延伸的引线的正方体。存在许多设计变化，这些变化通常区别于引线的数量、它们的节距、封装尺寸以及用于构建封装的材料。经常挑选材料以改进或改变封装的热特性。包封材料由诸如环氧树脂或其他塑料材料的模制化合物形成，模制化合物有时可能不能与引线很好地粘附，在这种情况下，形成包封材料的模制化合物将与引线中的一个或多个引线分离。该分离可以由温度改变引起并且被称为分层。它通常在靠近键合线所附接的裸片的引线末端处的内部应力的点处发生。对于许多封装来说，键合线是由金形成，并且引线末端已经涂覆有银以提升接线键合。用于包封材料的模制化合物通常与铜很好地键合，但是不与银很好地键合，并且在模制化合物和任何银涂层之间发生分层并且由该分层引起接线键合失效。一些封装为了节省成本利用铜线替换金线，但是这产生引线末端分层的更大可能性，并且引起更严重的接线键合失效。
技术实现思路
一种集成电路(IC)器件包括IC裸片和多个引线，该多个引线中的每个引线均包括包含第一材料的未镀制的近端和包含该第一材料的未镀制的远端。镀制的键合线部分在近端和远端之间延伸并且包含第一材料和在第一材料上的第二材料的镀层。多个键合线被包括并且在IC裸片和相应的引线的镀制的键合线部分之间延伸。包封材料包围IC裸片和该多个键合线，使得每个引线的未镀制的近端和镀制的键合线部分被该包封材料覆盖。IC器件可以包括在镀制的键合线部分和未镀制的远端之间的未镀制的中间部分。在这些实施例中，包封材料也可以覆盖每个引线的未镀制的中间部分。例如，第一材料可以包括铜，并且第二材料可以包括银。例如，多个键合线中的每个键合线可以包括该第一材料。键合线可以包括铜。未镀制的远端可以在100到300微米的范围中延伸，并且涂层的键合线部分可以在350到550微米的范围中延伸。例如，每个引线可以具有无开口的连续的形状。一种集成电路(IC)器件包括：IC裸片；多个引线，每个引线包括：未镀制的近端，包括铜，未镀制的远端，包括铜，以及镀制的键合线部分，在近端和远端之间并且包括铜和铜上的银镀层；多个键合线，每个键合线在IC裸片和相应的引线的镀制的键合线部分之间延伸；包封材料，包围IC裸片和多个键合线使得每个引线的未镀制的近端和镀制的键合线部分被包封材料覆盖。每个引线可以进一步包括在镀制的键合线部分和未镀制的远端之间的未镀制的中间部分；并且其中包封材料还覆盖每个引线的未镀制的中间部分。多个键合线中的每个键合线包括铜。每个未镀制的远端在100微米到300微米的范围中延伸。每个镀制的键合线部分端在350微米到550微米的范围中延伸。每个引线具有无开口的连续形状。附图说明图1是形成为具有“鸥翼”型引线的表面贴装集成电路封装的现有技术集成电路器件的透视图。图2是作为诸如在图1中示出的另一现有技术集成电路器件的X射线图像的平面图并且示出了引线末端分层的示例。图3是示出诸如在图2中的现有技术封装内的引线上的由分层产生颈部断裂的示例的显微照片。图4是与在图2中所示的相似的现有技术封装的一部分的放大图并且示出每个引线的引线末端上的全部银镀层。图5是与在图4中所示的相似的另一放大图并且示出如在现有技术中的未镀制的铜引线。图6是包括用于将键合线机械锁定到引线上的开口的现有技术引线的示例。图7是具有形成在引线上的包封锁的现有技术集成电路封装的平面图。图8是根据非限制性示例的集成电路器件的一部分的放大图，并且示出了在引线的未镀制的近端和远端之间的镀制的键合线。图9是根据非限制性示例的与在图8中所示的相似的另一集成电路器件的示意平面图并且示出了沿着引线施加的未切割的银带。图10是根据非限制性示例的在铜引线上具有银镀层区域的塑料单小外形(PSSO)封装的示例并且示出了银和铜之间的相对尺寸。图11是根据非限制性示例的示出引线以及作为镀制的键合线部分的多个带和作为镀制的接线部分的单个带和圆形涂覆的点的示例的集成电路器件的一部分的示意平面图。图12是根据非限制性示例的作为倒装芯片的另一集成电路器件的不完整的侧面截面图。图13是根据非限制性示例的与在图12中所示的相似的、但示出了使用铜柱的倒装芯片的另一不完整的侧面截面图。图14是根据非限制性示例的在图12中所示的器件的俯视平面图。具体实施方式现在将参考示出本技术的优选实施例的附图在下文中更完整地描述本技术。然而，该技术可以以许多不同的形式实施并且不应当被解释成受限于本文阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得该公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本技术的范围。相似的号码自始至终指示相同的元件，并且在备选的实施例中使用加撇符号指示相似元件。图1是现有技术集成电路器件10的透视图，在该示例中集成电路器件10形成为表面贴装集成电路(IC)封装和方形扁平封装(QFP)，包括通常由作为包围IC(未示出)的模制化合物的塑料材料形成的包封材料12。多个“鸥翼”引线14被耦合到包封的IC并且从封装的四个侧面向外延伸。引线14被焊接到电路板16。在图1的示例中，方形扁平封装包括从封装的每个侧面延伸的多个引脚或引线14，该封装在该示例中是矩形的，被配置成方形主体或封装设计。方形扁平封装的商业版的范围从经常具有32个的引线的封装到超过300个引线的封装，该引线具有从0.4mm到1.0mm的范围的节距。它们经常作为低轮廓方形扁平封装(LQFP)或薄方形扁平封装(TQFP)被制造和销售。尽管大部分主题将关于示例方形扁平封装描述，但是根据非限制性示例的集成电路器件可以被形成为许多不同器件配置，包括方形扁平封装或其他表面贴装或集成电路封装和小外形集成电路(SO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路器件，其特征在于，包括：集成电路裸片；多个引线，每个引线包括：未镀制的近端，包括第一材料，未镀制的远端，包括所述第一材料，以及镀制的键合线部分，在所述近端和所述远端之间并且包括所述第一材料和所述第一材料上的第二材料的镀层；多个键合线，每个键合线在所述集成电路裸片和相应的引线的所述镀制的键合线部分之间延伸；包封材料，包围所述集成电路裸片和多个键合线，使得每个引线的所述未镀制的近端和所述镀制的键合线部分被所述包封材料覆盖。

【技术特征摘要】
2014.12.10 US 14/565,6861.一种集成电路器件，其特征在于，包括：
集成电路裸片；
多个引线，每个引线包括：
未镀制的近端，包括第一材料，
未镀制的远端，包括所述第一材料，以及
镀制的键合线部分，在所述近端和所述远端之间并且包括所述第一材料和所述第一材料上的第二材料的镀层；
多个键合线，每个键合线在所述集成电路裸片和相应的引线的所述镀制的键合线部分之间延伸；
包封材料，包围所述集成电路裸片和多个键合线，使得每个引线的所述未镀制的近端和所述镀制的键合线部分被所述包封材料覆盖。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，每个引线进一步包括在所述镀制的键合线部分和所述未镀制的远端之间的未镀制的中间部分；并且其中所述包封材料还覆盖每个引线的所述未镀制的中间部分。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第一材料包括铜。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第二材料包括银。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述多个键合线中的每个键合线包括所述第一材料。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述多个键合线中的每个键合线包括铜。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，每个未镀制的远端在100微米到300微米的范围中延伸。
8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志洋，
申请(专利权)人：意法半导体私人公司，
类型：新型
国别省市：马来西亚;MY