集成电路器件制造技术

本公开的各实施例涉及集成电路器件。引线框架包括裸片焊盘和电引线。集成电路芯片被安装到裸片焊盘。包封封装件具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的周界。电引线从封装件的相对的第一侧壁和第二侧壁延伸。封装件的相对的第三侧壁和第四侧壁的至少一个侧壁包括V形凹部，用于增加在相对的第一侧壁和第二侧壁处的电引线之间的爬电距离。本实用新型专利技术的实施例使得能够在集成电路器件尺寸变小的同时，保证足够的爬电距离。保证足够的爬电距离。保证足够的爬电距离。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件


[0001]本技术总体上涉及集成电路器件，并且特别地涉及一种用于集成电路器件的封装件，封装件包括在外部电气端子之间的外围封装侧壁中形成的V形凹槽爬电结构，以在这些外部电气端子之间确保足够的爬电距离。

技术介绍

[0002]参考图1和图2。功率集成电路器件10通常包括提供功率元件(或功能)的第一集成电路芯片12和提供控制元件(或功能)的第二集成电路芯片14。用于功率集成电路器件10的引线框架16包括第一集成电路芯片12所安装到的第一裸片焊盘18以及包括第二集成电路芯片14所安装到的第二裸片焊盘20。第一引线集合22a
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22n远离第一裸片焊盘18延伸，并且第二引线集合24a
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24p远离第二裸片焊盘20延伸。第一集成电路芯片12的第一焊盘集合由键合线26电连接到第一引线集合22a
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22n的近端，并且第二集成电路芯片14的第一焊盘集合由键合线26电连接到第二引线集合24a
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24p的近端。第一集成电路芯片12的第二焊盘集合由键合线26电连接到第二集成电路芯片14的第二焊盘集合。通常由树脂材料制成的封装件30包封第一集成电路芯片12和第二集成电路芯片14、引线框架16和键合线26。封装件30在俯视图中具有由外围封装侧壁32限定的正方形或矩形形状的周界。在所示的实施例中，引线22和24的远端从相对的外围封装侧壁32a和32b向外延伸。相对的外围封装侧壁32c和32d垂直于相对的外围封装侧壁32a和32b延伸，并且分别接合相对的外围封装侧壁32a和32b。
[0003]随着功率集成电路器件10的尺寸继续变小，尤其是在占用面积方面，第一引线集合22a
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22n中的引线的远端与第二引线集合24a
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24p中的引线的末端之间的距离变得更短。这增加了电弧可能沿着外围封装侧壁的相对侧32c和32d之一(例如，在引线22n与引线24a之间)形成的风险，因为爬电距离CD已经被缩短。本领域需要解决这个问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术旨在提供一种集成电路器件，其提供足够的爬电距离。
[0005]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种集成电路器件，其包括：封装件，其包封引线框架和至少一个集成电路芯片，其中至少一个集成电路芯片被安装到引线框架的裸片焊盘，引线框架还包括多个引线；其中封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中多个引线的第一集合沿着第一侧壁延伸，并且多个引线的第二集合沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括V形凹部。
[0006]在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的每个侧壁包括V形凹部。
[0007]在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括：第一侧壁部分；第二侧壁部分，在第一外部拐角处与第一侧壁部分接合；第三侧壁部分，在内部拐角
处与第二侧壁部分接合；以及第四侧壁部分，在第二外部拐角处与第三侧壁部分接合。
[0008]在一个或多个实施例中，第二侧壁部分和第三侧壁部分限定V形凹部。
[0009]在一个或多个实施例中，第一外部拐角由第一侧壁部分与第二侧壁部分之间的外部角度α限定，并且其中第二外部拐角由第三侧壁部分与第四侧壁部分之间的外部角度α限定。
[0010]在一个或多个实施例中，外部角度α设定V形凹部的宽度。
[0011]在一个或多个实施例中，外部角度α设定V形凹部的深度。
[0012]在一个或多个实施例中，内部拐角由第二侧壁部分与第三侧壁部分之间的内部角度β限定。
[0013]在一个或多个实施例中，外部角度α设定V形凹部的宽度。
[0014]在一个或多个实施例中，外部角度α设定V形凹部的深度。
[0015]在一个或多个实施例中，第一侧壁部分从第一侧壁垂直延伸，并且第四侧壁部分从第二侧壁垂直延伸。
[0016]在一个或多个实施例中，V形凹部在第一外部拐角与第二外部拐角之间具有在0.35*L至0.55*L之间的宽度，其中L是第三侧壁或第四侧壁的长度。
[0017]在一个或多个实施例中，V形凹部距第三侧壁或第四侧壁的平面具有在0.15*L至0.30*L之间的深度，其中L是第三侧壁或第四侧壁的长度。
[0018]在一个或多个实施例中，封装件具有厚度，并且其中V形凹部完全延伸穿过厚度。
[0019]根据本公开的一个或多个方面，提供了一种集成电路器件，其包括：封装件，其包封引线框架、第一集成电路芯片和第二集成电路芯片，其中第一集成电路芯片被安装到引线框架的第一裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第一多个引线，其中第二集成电路芯片被安装到引线框架的第二裸片焊盘、并且电连接到引线框架的第二多个引线；其中封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中第一多个引线沿着第一侧壁延伸，并且第二多个引线沿着第二侧壁延伸；并且其中第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括V形凹部。
[0020]在一个或多个实施例中，第一集成电路芯片和第二集成电路芯片彼此电连接。
[0021]在一个或多个实施例中，第一集成电路芯片是功率芯片，并且第二集成电路芯片是控制芯片，控制芯片被配置成控制功率芯片的操作。
[0022]在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的每个侧壁包括V形凹部。
[0023]在一个或多个实施例中，第三侧壁和第四侧壁中的至少一个侧壁包括：第一侧壁部分；第二侧壁部分，在第一外部拐角处与第一侧壁部分接合；第三侧壁部分，在内部拐角处与第二侧壁部分接合；以及第四侧壁部分，在第二外部拐角处与第三侧壁部分接合。
[0024]在一个或多个实施例中，第二侧壁部分和第三侧壁部分限定V形凹部。
[0025]在一个或多个实施例中，第一外部拐角150由第一侧壁部分与第二侧壁部分之间的外部角度α限定，并且其中第二外部拐角由第三侧壁部分与第四侧壁部分之间的外部角度α限定。
[0026]在一个或多个实施例中，内部拐角由第二侧壁部分与第三侧壁部分之间的内部角度β限定。
[0027]在一个或多个实施例中，第一侧壁部分从第一侧壁垂直延伸，并且第四侧壁部分从第二侧壁垂直延伸。
[0028]在一个或多个实施例中，V形凹部在第一外部拐角与第二外部拐角之间具有在0.35*L至0.55*L之间的宽度，其中L是第三侧壁或第四侧壁的长度。
[0029]在一个或多个实施例中，V形凹部距第三侧壁或第四侧壁的平面具有在0.15*L至0.30*L之间的深度，其中L是第三侧壁或第四侧壁的长度。
[0030]在一个或多个实施例中，封装件具有厚度，并且其中V形凹部完全延伸穿过厚度。
[0031]通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：封装件，其包封引线框架和至少一个集成电路芯片，其中所述至少一个集成电路芯片被安装到所述引线框架的裸片焊盘，所述引线框架还包括多个引线；其中所述封装件在俯视图中具有由第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁限定的正方形或矩形周界；其中第一侧壁和第二侧壁彼此相对；其中第三侧壁和第四侧壁彼此相对；其中所述多个引线的第一集合沿着所述第一侧壁延伸，并且所述多个引线的第二集合沿着所述第二侧壁延伸；并且其中所述第三侧壁和所述第四侧壁中的至少一个侧壁包括V形凹部。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第三侧壁和所述第四侧壁中的每个侧壁包括所述V形凹部。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第三侧壁和所述第四侧壁中的至少一个侧壁包括：第一侧壁部分；第二侧壁部分，在第一外部拐角处与所述第一侧壁部分接合；第三侧壁部分，在内部拐角处与所述第二侧壁部分接合；以及第四侧壁部分，在第二外部拐角处与所述第三侧壁部分接合。4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，所述第二侧壁部分和所述第三侧壁部分限定所述V形凹部。5.根据权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，所述第一外部拐角由所述第一侧壁部分与所述第二侧壁部分之间的外部角度α限定，并且其中所述第二外部拐角由所述第三侧壁部分与所述第四侧壁部分之间的所述外部角度α限定。6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其特征在于，所述外部角度α设定所述V形凹部的宽度。7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其特征在于，所述外部角度α设定所述V形凹部的深度。8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其特征在于，所述内部拐角由所述第二侧壁部分与所述第三侧壁部分之间的内部角度β限定。9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其特征在于，所述外部角度α设定所述V形凹部的宽度。10.根据权利要求8所述的集成电路器件，其特征在于，所述外部角度α设定所述V形凹部的深度。11.根据权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，第一侧壁部分从所述第一侧壁垂直延伸，并且所述第四侧壁部分从所述第二侧壁垂直延伸。12.根据权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，所述V形凹部在所述第一外部拐角与所述第二外部拐角之间具有在0.35*L至0.55*L之间的宽度，其中L是所述第三侧壁或所述第四侧壁的长度。13.根据权利要求3所述的集成电路器件，其特征在于，所述V形凹部距所述第三侧壁或
所述第四侧壁的平面具有在0.15*L至0.30*L之间的深度，其中L是所述第三侧壁或所述第四侧壁的长度。14.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述封装件具有厚度，并且其中所述V形凹部完全延伸穿过所述厚度。15.一种集成电路器件，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王远丰，
申请(专利权)人：意法半导体私人公司，
类型：新型
国别省市：