【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力半导体器件，尤其涉及电力半导体器件中所采用的电极结构。
技术介绍
目前，电力半导体器件中的电极与DBC板(陶瓷覆铜板)之间的接触方式采用焊接式工艺，即将电极的底部通过高温焊接的方式焊在DBC板上。这种焊接式接触方式，存在以下问题I.如图I所示，采用焊接式电极的底部需要进行焊接，因此电极底部的接触面积较大，而且所占用DBC板上的面积也较大，因此要求DBC板具有足够的面积用以焊接电极，从而使得DBC板的尺寸大小受到了限制，不能设计得过小，否则将难以焊接。2.浪费了大量的焊接资源和电力资源，从而增加了生产成本；·3.焊接式接触方式增加了产品的不稳定因素，因为在焊接过程中，随着焊料的融化，有可能形成焊料堆积、流焊，从而会使模块中的电极间形成短路或断路，损坏IGBT芯片，影响成品的合格率；4.将普通的电极焊接在DBC板上需要非常复杂的工艺，需要在高温、真空环境中将焊料融化后，再经过冷却，并且还要保证尽可能低的空洞率，复杂的工艺降低了产品生产的效率。综上所述，需要改变现有的电力半导体器件的电极与DBC板之间所采用的焊接式接触方式，寻求一种更为安全可靠的电极...
【技术保护点】
电力半导体器件用电极，其特征在于：所述电极通过压接的形式与DBC板接触，且所述电极与所述DBC板的接触面为非平面，所述电极与所述DBC板的接触面的横截面为连续的多点接触，所有的接触点均在同一平面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴磊，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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