半导体器件贯通电极用的玻璃基板制造技术

提供与现有的半导体器件贯通电极用的玻璃基板相比具有更加良好的强度的玻璃基板。本发明专利技术涉及玻璃基板，其特征在于，其为具有第1表面和第2表面，且具有从所述第1表面延伸到所述第2表面的贯通孔的半导体器件贯通电极用的玻璃基板，其中，所述第1表面和第2表面的至少一个进行了化学强化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件贯通电极用的玻璃基板。
技术介绍
为了应对高密度封装化所伴随的印刷电路基板的高密度化的要求，开发了层叠有多个印刷电路基板的多层印刷电路基板。在这种多层电路基板中，在树脂制的绝缘层上形成称之为导通孔(via hole)的直径100 μ m以下左右的微细贯通孔，在其内部实施镀覆，从而对在上下层叠的印刷电路基板之间的导电层彼此进行电连接。作为更容易地形成这种贯通孔的方法，专利文献1、2中记载了 介由形成了多个 贯通开口的掩模来对绝缘层照射激光的方法。根据该方法，可以同时在树脂制的绝缘层上穿出多个贯通孔，因此，可以更容易地形成贯通孔(导通孔)。另外，非专利文献I中，记载了可使用具有多个贯通孔的玻璃基板作为这种绝缘层。另一方面，随着半导体器件的小型化、高速化、降低功耗的要求的进一步提高，也开发了由多个LSI构成的系统收存在一个封装体中的、系统级封装(System-in-Package,SiP)技术与三维安装技术组合而成的三维SiP技术。在该情况下，在引线接合技术中，由于无法应对微细的节距，因此需要使用了贯通电极的、被称为中介层(interposer)的中继基板。作为这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.20 JP 2010-0972251.一种半导体器件贯通电极用的玻璃基板，其特征在于，其具有第I表面和第2表面，且具有从所述第I表面延伸到所述第2表面的贯通孔， 其中，所述第I表面和第2表面的至少一个进行了化学强化。2.根据权利要求I所述的玻璃基板，其特征在于，其厚度在O.01mnT5mm的范围。3.根据权利要求I或2所述的玻璃基板，其特征在于，所述进行了化学强化的表面中的化学强化层的厚度为I μ π...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池章夫，小野元司，村上亮太，菊川信也，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：
国别省市：