用于形成半导体器件贯通电极的玻璃基板制造技术

本发明专利技术提供可显著地抑制α射线的发生，且能够进行激光加工、与硅制部件的亲和性高的、用于形成半导体器件贯通电极的玻璃基板。本发明专利技术涉及玻璃基板，其特征在于，其具有多个贯通孔，α计数为0.05c/cm2·h以下，包含40wt%以上的SiO2，且Li2O的含量（wt%）+Na2O的含量（wt%）+K2O的含量（wt%）的总和为6.0wt%以下，50℃~350℃下的平均热膨胀系数在20×10-7/K~40×10-7/K的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成半导体器件贯通电极的玻璃基板。
技术介绍
为了应对高密度封装化所伴随的印刷电路基板的高密度化的要求，开发了层叠有多个印刷电路基板的多层印刷电路基板。在这种多层电路基板中，在树脂制的绝缘层上形成被称为导通孔(via hole)的直径100 μ m以下左右的微细贯通孔，在其内部实施镀覆，将在上下层叠的印刷电路基板之间的导电层彼此电连接。作为更容易地形成这种贯通孔的方法，在专利文献1、2中记载了隔着形成有多个贯通开口的掩模对绝缘层照射激光的方法。根据该方法，可以同时在树脂制的绝缘层上穿 出多个贯通孔，因此可更容易地形成贯通孔(导通孔)。另外，非专利文献I中，记载了可使用具有多个贯通孔的玻璃基板作为这种绝缘层的方案。另一方面，随着半导体器件的小型化、高速化、降低功耗的要求进一步提高，将由多个LSI形成的系统收存在一个封装体中的、将系统级封装(System-in-Package, SiP)技术与三维封装技术组合的三维SiP技术的开发也获得了进展。在该情况下，在引线键合技术中，由于无法对应微细的间距，因此需要使用了贯通电极的、被称为中介层(interposer)的中继基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.20 JP 2010-0972281.一种用于形成半导体器件贯通电极的玻璃基板，其特征在于， 其具有多个贯通孔， α计数为O. 05c/cm2 · h以下， 包含40wt%以上的SiO2，且Li2O的含量(wt%)+Na2O的含量(wt%)+K20的含量(wt%)的总和为6. 0wt%以下， 500C 350°C下的平均热膨胀系数在20X 10-7/K 40X 10—VK...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池章夫，小野元司，村上亮太，菊川信也，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：
国别省市：